[發明專利]一種運用磁控濺射法制備透明導電薄膜的方法無效
| 申請號： | 201210199801.6 | 申請日： | 2012-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN102719792A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 李文英;尹桂林;張柯;姜新來;鐘建;余震;何丹農 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學;上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 運用 磁控濺射 法制 透明 導電 薄膜 方法 | ||
1.一種利用磁控濺射法制備Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明導電薄膜的方法，其特征在于：將清洗干凈的基片置于磁控濺射腔內，利用磁控濺射方法在純氬氣氣氛下依次濺射Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到電阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明導電薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法按以下步驟進行：
(1)基片依次用丙酮、無水乙醇、去離子水超聲清洗，之后用99.99%的氮氣吹干；
(2)用含Cu量為0.5%~2.5%的ZnCuO陶瓷靶作為Zn1-xCuxO薄膜沉積的濺射靶；
(3)用99.99%的高純Cu靶作為Cu薄膜沉積的濺射靶；
(4)對磁控濺射腔抽真空；
(5)保持基片溫度為室溫，調節基片與靶材的距離；
(6)ZnCuO靶采用射頻濺射；Cu靶采用直流濺射；
(7)Zn1-xCuxO膜和Cu膜均在純氬氣氣氛中制得。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述Zn1-xCuxO膜的厚度為40～70nm，所述Cu膜厚度為8～30nm。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述（1）中，超聲清洗時間為10min。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述（4）中，對磁控濺射腔抽真空，使其真空度小于1.0×10-4Pa.
6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述（5）中，調節基片與靶材的距離為10～20cm。
7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述（6）中，ZnCuO靶采用射頻濺射，其中濺射功率為30W，濺射時間為30～60min。
8.根據權利要求2或7所述的方法，其特征在于，所述（6）中，Cu靶采用直流濺射，濺射功率為80W，濺射時間為10～90s。
9.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述（7）中，純氬氣的純度為99.99%以上，氣體壓強為0.8～1.6Pa。
10.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基片選用玻璃片。
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