[發(fā)明專利]電流基準(zhǔn)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210199680.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN102692946A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李發(fā)寧;馬俠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鉅泉光電科技（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266
• 代理人: 成春榮;竺云

1.一種電流基準(zhǔn)電路，其特征在于，包括：金屬氧化半導(dǎo)體MOS管M2、M3、M4、M9、M10、M11、M12、M16和M17，雙極晶體管Q1、Q2和Q3，電阻R1、R2和R3，電容C1；

M2、M3、M4、M16和M17是同一類型的MOS管，M9、M10、M11和M12是同一類型的MOS管；

M9、M10、M11和M12的柵極連接在一起；

M9源漏極中的一極與預(yù)置電壓連接，另一極與M2源漏極中的一極連接，M2源漏極中的另一極與Q3的發(fā)射極連接，M2的柵極通過電容C1接地，Q3的基極與集電極接地；

M9的柵極與M9源漏極中非接預(yù)置電壓的一極連接；

M10源漏極中的一極與預(yù)置電壓連接，另一極與M3源漏極中的一極連接，M3源漏極中的另一極與Q1的發(fā)射極連接，M3的柵極與M4的柵極連接，Q1的基極與集電極接地，電阻R3連接在Q1的發(fā)射極與集電極之間；

M2的柵極與M10源漏極中非接預(yù)置電壓的一極連接；

M11源漏極中的一極與預(yù)置電壓連接，另一極與M4源漏極中的一極連接，M4源漏極中的另一極通過電阻R1與Q2的發(fā)射極連接，Q2的基極與集電極接地，Q2的發(fā)射極通過電阻R1和R2接地；

M4的柵極與M11源漏極中非接預(yù)置電壓的一極連接；

M12源漏極中的一極與預(yù)置電壓連接，另一極與M16源漏極中的一極連接，M16源漏極中的另一極接地，M16的柵極與M12源漏極中非接預(yù)置電壓的一極連接；

M17的柵極與M16的柵極連接，M17源漏極中的一極接輸出端口，另一極接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于，所述M2、M3、M4、M16和M17為N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS管，所述M9、M10、M11和M12為P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于，還包括：NMOS管M1，PMOS管M5、M6、M7、M8和M15，雙極晶體管Q4；

M5、M6、M7、M8和M15的柵極連接在一起；

M15的源極與預(yù)置電壓連接，M15的漏極與M1的漏極連接，M15的柵極與M15的漏極連接，M1的源極與Q4的發(fā)射極連接，M1的柵極與M3的柵極連接，Q4的基極與集電極接地；

M5的源極與M9的漏極連接，M5的漏極與M2的漏極連接，M9的柵極與M5的漏極連接；

M6的源極與M10的漏極連接，M6的漏極與M3的漏極連接；

M2的柵極與M3的漏極連接；

M7的源極與M11的漏極連接，M7的漏極與M4的漏極連接；

M4的柵極與M4的漏極連接；

M8的源極與M12的漏極連接，M8的漏極與M16的漏極連接；

M16的柵極與M16的漏極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電流基準(zhǔn)電路，其特征在于，還包括：PMOS管M13和M14；

M13、M14和M15的柵極連接在一起，M13的源極與預(yù)置電壓連接，M13的漏極與M14的源極連接，M14的漏極與M15的源極連接。