[發明專利]真空處理裝置及控制制程顆粒沉積路徑的方法

有效

• 申請號: 201210199548.4
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN103510064A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 李蒼;劉忠篤
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳世華;馮志云

1.一種真空處理裝置，用于對放置在其中的基片(15)通過金屬有機化學氣相沉積反應進行加工處理，包括：基座(10)、反應腔室(11)、噴淋頭(12)，所述基座(10)和噴淋頭(12)分別位于反應腔室(11)內的下部和上部，所述噴淋頭(12)用于向反應腔室(11)供給金屬有機化學氣相沉積反應所用的制程氣體，所述基片(15)放置在基座(10)上，其特征在于，所述真空處理裝置還包括一個超聲波發生單元，其在所述反應腔室(11)中產生超聲波，使得所述反應腔室(11)內的制程顆粒(14)向下運動并與基片(15)進行制程反應。

2.根據權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，所述超聲波發生單元為一塊超聲波發射面板(13)，所述超聲波發射面板(13)呈無底面的圓筒形，環繞所述反應腔室(11)。

3.根據權利要求2所述的真空處理裝置，其特征在于，所述超聲波發射面板(13)的頂端高度大于等于所述噴淋頭(12)的高度，其底端高度小于等于所述基座(10)的高度。

4.根據權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，所述超聲波發生單元為功率密度可調節的超聲波發生單元。

5.根據權利要求4所述的真空處理裝置，其特征在于，它還包括一個超聲波反饋調節單元，其接收所述超聲波發生單元發出的超聲波信號，根據所述反應腔室(11)內的制程顆粒(14)的濃度，輸出反饋控制信號調節所述超聲波發生單元發出的超聲波的功率密度。

6.一種控制制程顆粒沉積路徑的方法，用于金屬有機化學氣相沉積工藝中，包括下列操作步驟：

a)、將基片安裝在基座上；

b)、用加熱器加熱該基片；

c)、向反應腔室供給制程氣體，并施以射頻能量激發所述制程氣體，同時在噴淋頭和基座之間施加超聲波，以使所述反應腔室內的制程顆粒受到超聲波的震動影響向下運動并與放置在基座上的基片進行制程反應。

7.根據權利要求6所述的控制制程顆粒沉積路徑的方法，其特征在于，所述超聲波的功率密度為0.5-3瓦/cm²。

8.根據權利要求7所述的控制制程顆粒沉積路徑的方法，其特征在于，所述超聲波的功率密度為2.4瓦/cm²。

9.根據權利要求6所述的控制制程顆粒沉積路徑的方法，其特征在于，所述超聲波的頻率為20-100KHZ。

10.根據權利要求9所述的控制制程顆粒沉積路徑的方法，其特征在于，所述超聲波的頻率為40KHZ。