[發明專利]具有偽柵極的橫向DMOS器件

有效

• 申請號: 201210199469.3
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN103208522A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 伍震威;柳瑞興;蔡軍;周學良;陳吉智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

襯底，具有第一導電性；

第一區，具有第二導電性，形成在所述襯底的上方；

第二區，具有所述第二導電性，形成在所述第一區中；

第三區，具有所述第一導電性，形成在所述第一區中；

第一介電層，形成在所述第一區的上方，其中，所述第一介電層的第一側鄰近所述第二區；

第二介電層，以其第一側與所述第一介電層的第二側鄰近的方式形成；以及

第一柵極，形成在所述第一介電層的上方；以及

第二柵極，形成在所述第二介電層之上，其中，所述第二柵極通過間隙與所述第一柵極隔開。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二介電層形成在所述第一區和所述第三區的上方。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電性是P型以及所述第二導電性是N型。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第四區，具有所述第二導電性，形成在所述第三區之上并且鄰近所述第二介電層的第二側。

5.一種器件，包括：

延伸漂移區，具有第一導電型，形成在襯底的上方；

漏極區，具有所述第一導電型，形成在所述延伸漂移區中；

溝道區，具有第二導電型，形成在所述延伸漂移區中；

源極區，具有所述第一導電型，形成在所述溝道區中；

第一介電層，形成在所述溝道區和所述延伸漂移區的上方；

第二介電層，形成在所述延伸漂移區的上方，其中，所述第二介電層水平地位于所述源極區和所述漏極區之間；

第一柵極，形成在所述第一介電層上；以及

第二柵極，形成在所述第二介電層上。

6.根據權利要求5所述的器件，其中：

所述第一導電型是n-型導電性；以及

所述第二導電型是p-型導電性。

7.根據權利要求5所述的器件，其中：

所述第一導電型是p-型導電性；以及

所述第二導電型是n-型導電性。

8.一種晶體管，包括：

襯底，具有第一導電型；

延伸漂移區，位于所述襯底的上方，其中，所述延伸漂移區具有第二導電型；

漏極區，位于所述延伸漂移區中，其中，所述漏極區具有所述第二導電型；

溝道區，位于所述延伸漂移區中，其中，所述溝道區具有所述第一導電型；

源極區，位于所述溝道區中，其中，所述源極區具有所述第二導電型；

第一介電層，具有第一厚度，位于所述溝道區和所述延伸漂移區的上方；

第二介電層，具有第二厚度，位于所述延伸漂移區的上方，其中，所述第二介電層鄰近所述第一介電層；

第一柵極，位于所述第一介電層上；以及

第二柵極，位于所述第二介電層上。

9.根據權利要求8所述的晶體管，其中，所述第一介電層的所述第一厚度在100至200的范圍內。

10.根據權利要求8所述的晶體管，其中，所述第二介電層的所述第二厚度在500至2000的范圍內。