[發(fā)明專利]一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210199250.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102694080A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱紅兵;黃躍龍;尹晶晶;高錦成;馬云祥;馮燕;賀天太 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 保定天威薄膜光伏有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 唐山順誠(chéng)專利事務(wù)所 13106 | 代理人: | 于文順 |
| 地址: | 071051 河北省保定市*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 氧化 反射 結(jié)構(gòu) 薄膜 太陽(yáng)能電池 | ||
1.一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池,其特征在于:包含二氧化鈦背反射薄膜(4)、封裝背板(5)、硅基薄膜電池(2)、透明前基板(1)和封裝材料(3);封裝背板上二氧化鈦背反射薄膜的制備與硅基薄膜電池的制備同步獨(dú)立進(jìn)行,然后,將封裝背板與硅基薄膜電池的透明前基板通過封裝材料采用層壓工藝進(jìn)行封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池,其特征為:所述的二氧化鈦背反射薄膜至少包含一層二氧化鈦薄膜,制備在封裝背板上,背反射薄膜的膜厚控制在100納米到500微米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池,其特征為:所述的封裝背板材料為玻璃、或者不銹鋼、或者有機(jī)聚合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池,其特征為:所述的硅基薄膜電池為硅基薄膜太陽(yáng)能電池,包括所有硅材料和硅基合金材料的單結(jié)和多結(jié)疊層結(jié)構(gòu)的薄膜太陽(yáng)能電池。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池,其特征為:所述的透明前基板為玻璃或者聚酯膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽(yáng)能電池,其特征為:所述的封裝材料為在可見光區(qū)平均光透過率大于10%的有機(jī)聚合物材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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