[發明專利]一種清洗高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊工藝無效
| 申請號: | 201210198443.7 | 申請日: | 2012-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN102694078A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 王永向;熊勇軍 | 申請(專利權)人: | 成都聚合科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B08B3/02 |
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| 地址: | 610207 四川省成都市雙流縣西南航*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清洗 高倍 聚光 光電 轉換 接收器 模塊 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種工藝流程,尤其涉及一種清洗高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊工藝,屬于太陽能光伏發電技術領域。
背景技術
為解決傳統能源日益突出的能源危機和相關問題,許多國家開始關注新能源和可持續能源的研究。太陽能是一種環保和可持續利用的能源,具有潛在的應用和發展前景,經過多年的發展,高倍聚光光伏(HCPV)作為第三代太陽能發電技術正逐漸成為太陽能領域的新焦點,引起了行業內企業的追逐。隨著具有高轉換效率的多結太陽能電池的普及和成本下降,高倍聚光光伏市場進入快速增長期。與前兩代太陽能技術相比,HCPV采用多結的砷化鎵電池,具有較寬光譜吸收、高轉換效率、良好的溫度特性、低耗能的制造過程等優點,使它能在高倍聚焦的高溫環境下仍保持較高的光電轉換效率。
高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊是高倍聚光光伏組件中的核心模塊,該模塊由聚光光伏電池片、基板以及散熱器通過鍵合后組成。鍵合后的模塊質量直接決定產品的質量和穩定性。如果鍵合失效、鍵合線脫落、假鍵合等現象的產生,將直接造成產品報廢,即使維修能挽回部分損失,但維修導致的成本將會很高。大部分企業在產品鍵合前未清潔電池片、基板及散熱器表面,直接鍵合,電池片、基板及散熱器表面的氧化物及臟污將直接影響鍵合效果,直接危及鍵合后產品的可靠性及壽命。
發明內容
本發明的目的是在于提供一種清洗高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊工藝,該工藝所要解決的技術問題是克服現有技術的不足。
為了實現上述技術目的,本發明采取的技術方案是:一種清洗高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊工藝,其特征是,包含了將裝有未鍵合的光電轉換接收器模塊的鋁盤運送到高溫噴淋清洗機臺,并固定在高溫噴淋清洗機內;設定清洗機工藝參數,并啟動電源清洗;清洗完成后的產品放入烘干箱內;設定烘干機工藝參數,并啟動電源烘干;將裝有光電轉換接收器模塊的鋁盤取出并放入氮氣柜中進行保存待用五個步驟。
所述制造工藝人員把高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊以手動的方式按照規定的方位放置到專用鋁盤內,將裝有產品的鋁盤放置到高溫噴淋清洗機的清洗架上并固定好。
所述高溫噴淋清洗機可以為自動、半自動或手動形式,且溫度和時間均可調。
所述制造工藝人員根據高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊型號設置相應高溫噴淋清洗機參數。
所述烘干箱可以為自動、半自動或手動等其它形式。
所述制造工藝人員根據高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊型號設置相應烘干機參數。
本發明一種清洗高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊工藝的優點主要體現在:1.該工藝清洗成本低,空間占用小,環保,高純水可重復利用;2.該工藝操作簡單,制造工藝人員只需把未鍵合的光電轉換模塊放置并固定到高溫噴淋清洗機內即可;3.?該工藝能夠去除電池片與基板表面上的殘留物,臟污及氧化層;4.該工藝可以讓電池片與基板鍵合時,能夠得到更好的鍵合質量,降低產品的報廢率,更有效的控制生產成本;5.?該工藝可以大大降低產品的返修率,從而最大限度的控制產品因返修而造成的不良率。
附圖說明
圖1為一種清洗高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊工藝流程圖。
其中:1、2、3、4、5為工藝流程步驟。
具體實施方案
下面結合附圖對本發明進一步的說明,附件圖中的組成并不一定符合比例,而是以強調的方式描述出本發明的流程。
參見圖1,其為本發明清洗工藝的步驟流程圖。首先在步驟1中,制造工藝人員把高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊以手動的方式按照規定的方位放置到專用鋁盤內,將裝有產品的鋁盤放置到高溫噴淋清洗機的清洗架上并固定好;在步驟2中,制造工藝人員根據高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊型號設定清洗機工藝參數,并啟動電源對高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊進行清洗;在步驟3中,制造工藝人員將清洗完成后的產品放入烘干箱內;在步驟4中,制造工藝人員根據高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊型號設定烘干機工藝參數,并啟動電源對高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊進行烘干;在步驟5中,高倍聚光光伏光電轉換接收器基板烘干完成后,制造工藝人員手動將載有高倍聚光光伏光電轉換接收器模塊的鋁架取出,并放入氮氣柜中進行保存待用,以防止高倍聚光光伏光電轉換接收器基板表面再次污染及氧化。
本發明中,以上所述的具體實施例,對本發明的目的、工藝和效果進行了詳細的說明,所應理解是,以上所述僅為本發明的具體實施例而已,并不用于限定本發明的保護范圍,凡在本發明的精神和原則之內,所做的任何修改、替換和改進等,均應包含在本發明的保護范圍內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





