[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210198065.2
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN103515506B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 林厚德
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 汪飛亞

1.一種發光二極管封裝結構，包括基板、形成于基板上的電極、固定于基板上并與電極電性連接的發光二極管芯片、形成于基板上的第一反射杯以及填充于第一反射杯內并覆蓋發光二極管芯片于基板上的封裝體，該封裝體背離發光二極管芯片的上表面為出光面，其特征在于：還包括第二反射杯，所述第二反射杯環繞并覆蓋第一反射杯和基板，所述第二反射杯的反射面呈凹曲面，所述第二反射杯的反射面與封裝層的出光面共同形成一朝向基板方向內凹、面積更大的平滑曲面。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一反射杯包括一與基板平行的頂壁，所述第二反射杯的反射面與封裝體的出光面在第一反射杯的頂壁處對接，所述平滑曲面在所述頂壁處平滑過度。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板包括上表面和下表面以及上表面和下表面之間的若干側壁，所述基板的其中一個側壁向內凹陷形成有分別貫穿上表面和下表面的第一凹槽和第二凹槽。

4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述電極包括相互間隔的第一電極和第二電極，該第一電極自基板的上表面經由第一凹槽延伸至基板的下表面，該第二電極自基板的上表面經由第二凹槽延伸至基板的下表面。

5.如權利要求4所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一凹槽和第二凹槽貫穿基板的上表面和下表面并在上表面和下表面均形成開口，第一凹槽和第二凹槽在基板的上表面形成的開口被電極覆蓋。

6.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第二反射杯的高度大于基板和第一反射杯的高度之和，所述第二反射杯密封基板和第一反射杯的對接處。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一反射杯包括外壁，該外壁與基板的側壁共面，所述第二反射杯包括外壁，該第二反射杯環繞并包覆第一反射杯的外壁及基板的側壁，該第二反射杯的外壁與第一反射杯的外壁平行。

8.一種發光二極管封裝結構制造方法，包括以下步驟：

提供一基板，并在基板上形成電極；

在基板上形成若干第一反射杯；

將發光二極管芯片裝設于第一反射杯內并與基板上的電極電性連接；

在第一反射杯內形成封裝體；

在第一反射杯和基板的外部覆蓋一覆蓋層；

自覆蓋層向封裝體形成一凹陷使覆蓋于第一反射杯上部的覆蓋層形成為具有凹曲面的第二反射杯，該凹陷自覆蓋層延伸至封裝體，所述第二反射杯的反射面呈凹曲面，所述第二反射杯的反射面與封裝層的出光面共同形成一朝向基板方向內凹、面積更大的平滑曲面；及

切割基板形成若干個發光二極管封裝結構。

9.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構制造方法，其特征在于：所述自覆蓋層向封裝體形成一凹陷使覆蓋于第一反射杯上部的覆蓋層形成為具有凹曲面的第二反射杯的步驟是通過一具有向下突出的凸面的模具對覆蓋層進行切割或研磨制成。

10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構制造方法，其特征在于：所述模具呈圓柱形，所述凹陷是通過沿軸向旋轉圓柱形模具、使旋轉中的圓柱形模具側面自覆蓋層向封裝體移動直至模具側面與第一反射杯接觸而形成。