[發(fā)明專利]一種厚多晶硅的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210197858.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103515200A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 荊二榮;周國(guó)平;夏長(zhǎng)奉;蘇巍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 高為;王忠忠

1.一種厚多晶硅的制備方法，包括：

在硅片的正表面上淀積一層薄的多晶硅層作為種子層；以及

在所述種子層上，通過(guò)使用外延氣體，外延生長(zhǎng)出一層厚的多晶硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述淀積一層薄的多晶硅層作為種子層的步驟通過(guò)低壓化學(xué)氣相淀積來(lái)實(shí)現(xiàn)。

3.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述淀積一層薄的多晶硅層作為種子層的步驟通過(guò)固相晶化法或者金屬誘導(dǎo)法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

4.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述淀積一層薄的多晶硅層作為種子層的步驟通過(guò)脈沖快速熱燒結(jié)法或者準(zhǔn)分子激光晶化來(lái)實(shí)現(xiàn)。

5.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述外延氣體是三氯氫硅。

6.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述外延氣體是四氯化硅、硅烷、或者二氯硅烷。

7.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述外延氣體的溫度是900至1200攝氏度。

8.如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述種子層的厚度是50至1000nm。

9.如權(quán)利要求1所述的厚多晶硅的制備方法，其中，所述硅片是裸硅片或者表面沉積有介質(zhì)層的硅片。