[發(fā)明專利]寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210197488.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103489615A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪永熊;黃儀;宋松榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)鋼鐵股份有限公司
• 主分類號(hào): H01F41/02
• 分類號(hào): H01F41/02;H01F1/36;B22F3/12
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 林毅斌;楊思捷

1.?一種寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，包含：

（A）將一主原料進(jìn)行煅燒，該主原料含有總合為100?mol%的氧化鐵、氧化錳與氧化鋅，其中，氧化鐵為52.35mol%~52.55?mol%，而氧化錳與氧化鋅之摩爾百分比之比值介于1.35~1.38之間；

（B）將一副原料加入該主原料成為一混合料，其中，該副原料含有占該混合料0.04wt%的氧化鈣，與占該混合料0.02?wt%的氧化鋯；

（C）將該混合料進(jìn)行研磨且添加1wt%黏結(jié)劑形成顆粒；

（D）利用模具將顆粒成型為生胚；及

（E）將該生胚燒結(jié)成磁蕊。

2.?權(quán)利要求1的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟(E)是將生胚加熱至1350℃，持溫2至4小時(shí)后再冷卻至室溫。

3.?權(quán)利要求2的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟(E)是先以每小時(shí)100℃的加熱速率將生胚加熱至500℃，接下來(lái)改以每小時(shí)200℃的加熱速率將生胚由500℃加熱至900℃，再以每小時(shí)250℃的加熱速率將生胚由900℃加熱至1350℃，且持溫2至4小時(shí)。

4.?權(quán)利要求3的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟(E)是以每小時(shí)200℃的冷卻速率將生胚冷卻至1100℃，最后是以每小時(shí)240℃的冷卻速率將已卻至1100℃的生胚冷卻至室溫。

5.?權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟(E)中的氧含量是依據(jù)平衡氧分壓理論：AP=log(PO₂)+14540/(T+273)調(diào)整，其中，AP為氣氛參數(shù)、PO₂代表平衡氧分壓，T代表操作溫度。

6.?權(quán)利要求6的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟(E)在加熱至900℃后平衡氧分壓由21％降至4％~8％。

7.?權(quán)利要求1的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟（B）副原料還含有占該混合料0.02wt%至0.08?wt%的氧化鈦，與占該混合料0.02?wt%至0.05?wt%的氧化鈷。

8.?權(quán)利要求1的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟（C）中是采取濕式研磨，并添加1wt%的聚乙烯醇作為黏結(jié)劑。

9.?權(quán)利要求1的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟（C）中的顆粒粒徑介于80μm~240μm之間。

10.?權(quán)利要求1的寬溫型且低磁滯系數(shù)之磁蕊的制造方法，其中，該步驟（A）中該主原料是于900℃進(jìn)行煅燒。