[發明專利]一種HIT太陽能電池電極的形成方法無效
| 申請號： | 201210197286.8 | 申請日： | 2012-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN102738302A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 張宏;徐曉斌;彭錚;王巍;李媛媛;彭德香 | 申請（專利權）人： | 上海中智光纖通訊有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224;B41M1/12;B41M7/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達;謝文凱 |
| 地址： | 201108 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 hit 太陽能電池 電極 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種HIT太陽能電池電極的形成方法，包括：
在形成ITO膜的HIT太陽能電池上，首先正面對細柵電極進行第一次印刷，烘干，然后只印刷主柵電極或者同時印刷主柵電極并對細柵電極進行第二次印刷，烘干；其中，第二次印刷的主柵用銀漿比第一次印刷的細柵用銀漿的銀含量低；然后以相同印刷方法印刷背面銀電極，最后進行固化，即可。
2.根據權利要求1所述的一種HIT太陽能電池電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷的主柵用銀漿比第一次印刷的細柵用銀漿的銀含量低1~10%。
3.根據權利要求2所述的一種HIT太陽能電池電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷的主柵用銀漿比第一次印刷的細柵用銀漿的銀含量低5%。
4.根據權利要求2所述的一種HIT太陽能電池電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷的主柵用銀漿比第一次印刷的細柵用銀漿的銀含量低10%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
