[發明專利]一種晶體硅太陽能電池正面電極的形成方法

無效

• 申請號: 201210197216.2
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN102738301A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 張宏;徐曉斌;彭錚;王巍;李媛媛;彭德香
• 申請（專利權）人: 上海中智光纖通訊有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;B41M3/00;B41M1/26
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.一種晶體硅太陽能電池正面電極的形成方法，包括：

在經過制絨、擴散、表面鈍化處理、正面減反膜成膜后的兩面制絨的單晶硅背面印刷鋁被場及背銀電極并烘干后，首先在硅片正面印刷細柵電極，烘干；然后只印刷主柵電極或者同時印刷主柵電極并對細柵電極進行第二次印刷，烘干，其中，第二次印刷主柵電極所用銀漿的銀含量比第一次印刷細柵電極低；烘干后進隧道爐燒結，即得。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池正面電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷主柵電極所用銀漿的銀含量比第一次印刷細柵電極低1~10%。

3.根據權利要求2所述的一種晶體硅太陽能電池正面電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷主柵電極所用銀漿的銀含量比第一次印刷細柵電極低5%。

4.根據權利要求2所述的一種晶體硅太陽能電池正面電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷主柵電極所用銀漿的銀含量比第一次印刷細柵電極低10%。

5.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池正面電極的形成方法，其特征在于：所述第二次印刷所用銀漿中的玻璃粉軟化點比第一次印刷所用銀漿高1~50度。