[發(fā)明專利]一種具有電回路開(kāi)口的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210197020.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103489940A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王桂奮;謝德兵;王迎春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 金壇正信光伏電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0352 | 分類號(hào): | H01L31/0352 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 213250 江蘇省常*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 回路 開(kāi)口 多晶 薄膜 太陽(yáng)能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及硅太陽(yáng)能電池,特別是指一種具有電回路開(kāi)口的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)
多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于具備高效率的潛力以及具有構(gòu)成電回路開(kāi)口的雙重優(yōu)勢(shì),被認(rèn)為是最優(yōu)可能取代常規(guī)的太陽(yáng)能電池。在過(guò)去十幾年來(lái)引起人們極大興趣并取得廣泛研究。研究主要在兩個(gè)方面:一是電池襯底的選擇,二是制備工藝。若采用高純度、高品質(zhì)的單晶硅片作為襯底材料,制造成本極高,而采用廉價(jià)襯底,襯底中的雜質(zhì)易向薄膜中擴(kuò)散,容易影響電池的性能,降低電池的效率。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述已有技術(shù)存在的問(wèn)題,本發(fā)明的目的是提供一種用價(jià)格較低、雜質(zhì)不易向薄膜中擴(kuò)散的,同時(shí)又具有電回路開(kāi)口的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題采取的技術(shù)方案是:
所述的一種具有電回路開(kāi)口的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池包括襯底、多晶硅薄膜、上電極和背電極,多晶硅薄膜上制有p-n結(jié),襯底設(shè)在背電極上,在襯底和多晶硅薄膜之間設(shè)有重?fù)絇+層和二氧化硅隔離層,在二氧化硅隔離層上設(shè)有若干個(gè)由背電極和上電極構(gòu)成的電回路開(kāi)口。在二氧化硅隔離層上光刻出開(kāi)口,使電極可設(shè)在電池的正反兩面,簡(jiǎn)化了電池的制作工藝。
進(jìn)一步地,所述的二氧化硅隔離層厚度是2微米,采用此數(shù)據(jù)效果較好。
進(jìn)一步地,所述電回路開(kāi)口的數(shù)量是3-10個(gè),采用此數(shù)據(jù)效果較好。
本發(fā)明具有以下有益效果:
在襯底和多晶硅薄膜之間設(shè)有重?fù)絇+層和二氧化硅隔離層,使得低品質(zhì)的多晶硅片襯底也能作為基材使用,大大降低了制造成本;具有電回路開(kāi)口的設(shè)計(jì)能進(jìn)一步提升多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的使用性能。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明所述的一種具有電回路開(kāi)口的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中標(biāo)記分述如下:1、襯底、2、多晶硅薄膜、3、上電極、4、背電極、5、重?fù)絇+層、6、二氧化硅隔離層、6-1、電回路開(kāi)口。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。該附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖,僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
如圖1所示的一種具有電回路開(kāi)口的多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池,包括襯底1、多晶硅薄膜2、上電極3和背電極4,多晶硅薄膜2上制有p-n結(jié),襯底1設(shè)在背電極4上,在襯底1和多晶硅薄膜2之間設(shè)有重?fù)絇+層5和二氧化硅隔離層6,在二氧化硅隔離層6上設(shè)有若干個(gè)由背電極4和上電極構(gòu)成的電回路開(kāi)口6-1。
所述的二氧化硅隔離層6厚度是2微米,電回路開(kāi)口6-1的數(shù)量是3-10個(gè)。
采用二氧化硅隔離層6的目的是阻擋襯底雜質(zhì)向多晶硅薄膜2擴(kuò)散,在二氧化硅隔離層6上開(kāi)出的開(kāi)口,使電極可設(shè)在電池的正反兩面,大大簡(jiǎn)化了電池的制作工藝。降低了制造成本,有利于薄膜太陽(yáng)能電池的產(chǎn)業(yè)化。
以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示,通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





