[發明專利]半導體元件、其制造方法、顯示裝置和電子裝置

無效

• 申請號: 201210196100.7
• 申請日: 2012-06-13
• 公開（公告）號: CN102842674A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 小野秀樹;秋山龍人
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L27/32;H01L51/40
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導體元件，包括：

有機半導體層；

電極，其配置在所述有機半導體層上，以與所述有機半導體層接觸；以及

布線層，其獨立于所述電極而形成，并電連接至所述電極。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，

其中，所述半導體元件包括

所述有機半導體層，

柵電極，

一對源-漏電極，其作為所述電極，以及

所述布線層，并且

所述半導體元件形成為薄膜晶體管。

3.根據權利要求2所述的半導體元件，還包括：

柵極絕緣膜，以及

保護膜，

其中，以所述柵電極、所述柵極絕緣膜、所述有機半導體層、所述源-漏電極、所述保護膜和所述布線層的順序在襯底上層疊所述柵電極、所述柵極絕緣膜、所述有機半導體層、所述源-漏電極、所述保護膜和所述布線層。

4.根據權利要求3所述的半導體元件，

其中，所述有機半導體層在所述保護膜的形成區域的外部具有凸出部分，所述凸出部分作為與所述源-漏電極重疊的區域。

5.根據權利要求3所述的半導體元件，

其中，所述保護膜具有凹進部分，所述凹進部分作為凹槽區，以及

所述有機半導體層與所述源-漏電極在所述凹槽區中彼此重疊。

6.根據權利要求3所述的半導體元件，

其中，所述有機半導體層和所述保護膜中的至少一個配置在所述柵電極與所述布線層之間的重疊區域中。

7.根據權利要求3所述的半導體元件，

其中，在將作為所述布線層的一對布線層彼此連接的區域中，所述有機半導體層的外部形狀線配置在所述柵電極的外部形狀線的內側，所述一對布線層分別連接至所述一對源-漏電極。

8.根據權利要求2所述的半導體元件，

其中，所述一對源-漏電極包括對準偏移容納區，所述對準偏移容納區被形成為分別包括所述源-漏電極。

9.根據權利要求2所述的半導體元件，

其中，所述源-漏電極由金屬、導電聚合物和碳中的一種形成。

10.一種顯示裝置，包括：

半導體元件；以及

顯示層；

其中，所述半導體元件包括

有機半導體層；

電極，其配置在所述有機半導體層上，以與所述有機半導體層接觸；以及

布線層，其獨立于所述電極而形成，并電連接至所述電極。

11.一種電子裝置，包括：

顯示裝置，其具有

半導體元件；以及

顯示層；

其中，所述半導體元件包括

有機半導體層；

電極，其配置在所述有機半導體層上，以與所述有機半導體層接觸；以及

布線層，其獨立于所述電極而形成，并電連接至所述電極。

12.一種用于制造半導體元件的方法，該方法包括：

在襯底上形成有機半導體層；

在所述有機半導體層上形成電極，以使所述電極與所述有機半導體層接觸；以及

在形成所述電極之后，形成電連接至所述電極的布線層。

13.根據權利要求12所述的用于制造半導體元件的方法，

其中，通過使用印刷工藝來形成所述電極，以及

通過使用真空成膜工藝和光刻技術來形成所述布線層。

14.根據權利要求13所述的用于制造半導體元件的方法，

其中，通過使用堤層，以自對準方式來形成所述電極。