[發明專利]發光二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201210196045.1
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN103490002B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 林厚德;陳隆欣
• 申請（專利權）人: 泰州市智谷軟件園有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 北京高航知識產權代理有限公司 11530
• 代理人: 趙永強

1.一種發光二極管的制造方法，其包括以下步驟：

提供組接框，該組接框包括導線架、圍設于該導線架內、與導線架間隔設置且相互間隔的若干電極結構、連接電極結構與導線架的支架及若干收容部，該電極結構包括自其凸設的第一插設部及第二插設部；

提供基板，該基板具有若干通孔、若干凸伸部及容置部；

組裝結合基板與組接框，使得基板的通孔位于第一插設部及第二插設部的兩側，基板的凸伸部對應收容于組接框的收容部，基板的容置部對應收容第一插設部及第二插設部；

提供發光芯片，并將發光芯片電性連接至電極結構并使發光芯片收容至通孔的底部；

切割第一插設部及第二插設部，使得該第一插設部及第二插設部的一側面外露于該電極結構的一側表面。

2.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述每一電極結構包括間隔設置的一第一電極層及一第二電極層，所述第一插設部自與其相連的第一電極層頂面的左側中部向上凸伸形成，所述第二插設部自與其相連的第二電極層頂面右側中部向上凸伸形成。

3.如權利要求2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述第一插設部及第二插設部沿所述頂面垂直向上延伸的高度分別大于第一電極層及第二電極層的厚度。

4.如權利要求3所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述第一插設部及第二插設部均為長方體凸塊。

5.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述第一插設部的左側面與第一電極層的左側面平行共面，且其自左側面向右水平延伸的寬度小于第一電極層自左側面向右水平延伸的寬度，所述第二插設部的右側面與第二電極層的右側面平行共面，且其自右側面向左水平延伸的寬度小于第二電極層自右側面向左水平延伸的寬度。

6.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述通孔內形成有覆蓋發光芯片的熒光層。

7.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述基板還包括隔擋部，所述隔擋部用以間隔電極結構的第一電極層及第二電極層。

8.如權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述隔擋部位于通孔的底部，并連接通孔的相對兩端。

9.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述基板由硅樹脂、硅酮、環氧樹脂或者聚合體材料制成。

10.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述第一插設部及第二插設部相互靠近的兩側之間具有間隔部。