[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201210196002.3
• 申請日: 2012-06-13
• 公開（公告）號: CN102723359A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 王東方
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/51
• 分類號: H01L29/51;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及電氣元件領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

隨著薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，以下簡稱TFT）液晶顯示技術的發展，用戶對于薄膜晶體管液晶顯示屏的要求也越來越高。

其中氧化物晶體管技術具有遷移率高、均勻性好特點，故使用氧化物晶體管的液晶顯示器為液晶顯示技術的發展方向之一。

在現有技術中，使用氧化物晶體管的液晶顯示屏，例如銦鎵鋅氧化物晶體管，因其易于大面積生產以及與現有的生產線的兼容性好等優點而受到廣泛關注。

但是，作為柵極絕緣層的氧化硅或氮化硅易不能有效地阻擋氫、水氣擴散至有源層，從而破壞形成的氧化物晶體管的電學性能；并且會使氧化物晶體管閥值電壓的漂移，從而增大形成的氧化物晶體管的電能消耗過大。

發明內容

本發明的實施例提供一種可較好地控制電學性能的TFT及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種薄膜晶體管，包括：基板以及依次設置在基板上的柵極、第一柵極絕緣層和有源層；所述第一柵極絕緣層包裹所述柵極，所述有源層包裹所述第一柵極絕緣層，且所述第一柵極絕緣層的材料包括氧化鋁。

一種陣列基板，包括至少一個薄膜晶體管；所述薄膜晶體管，包括：基板以及依次設置在基板上的柵極、第一柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層；所述第一柵極絕緣層包裹所述柵極，所述有源層包裹所述第一柵極絕緣層，且所述第一柵極絕緣層的材料包括氧化鋁。

一種顯示裝置，包括至少一個薄膜晶體管；所述薄膜晶體管，包括：基板以及依次設置在基板上的柵極、第一柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層；所述第一柵極絕緣層包裹所述柵極，所述有源層包裹所述第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層的材料包括氧化鋁。

一種薄膜晶體管制備方法，包括：

在基板上通過構圖工藝形成柵極；

形成包裹所述柵極的第一柵極絕緣層，其中所述第一柵極絕緣層的材料包括氧化鋁；

形成有源層。

本發明實施例提供的一種TFT及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，使有源層包裹柵極絕緣層和柵極，并且形成包含氧化鋁的柵極絕緣層，因為氧化鋁具有較好的致密性，從而有效地防止了擴散氫和水汽入柵極絕緣層和柵極，從而使TFT的電學性能更加穩定；另外可以更好地控制柵極絕緣層的厚度，更好地對TFT的閥值電壓進行調整，降低了充電過程中電能的損耗。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明所述的TFT的第一種結構示意圖；

圖2為本發明所述的TFT的第二種結構示意圖；

圖3為本發明所述的TFT的第三種結構示意圖；

圖4為本發明實施例1所述的陣列基板的結構示意圖；

圖5為本發明實施例1所述的陣列基板中刻蝕形成通孔的結構示意圖；

圖6為本發明實施例2所述的陣列基板的結構示意圖；

圖7為本發明實施例3所述的陣列基板的結構示意圖；

圖8為本發明與實施例1相對應的TFT制備方法的流程圖；

圖9為本發明與實施例2相對應的TFT制備方法的流程圖；

圖10為本發明與實施例3相對應的TFT制備方法的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明實施例一種TFT及其制備方法、陣列基板、顯示裝置進行詳細描述。

應當明確，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

一種TFT，如圖1所示，包括：基板1以及依次設置在基板1柵極2、第一柵極絕緣層3、有源層4和源漏電極層6，所述第一柵極絕緣層3包裹所述柵極2，所述有源層4包裹所述第一柵極絕緣層3，所述第一柵極絕緣層3的材料包括氧化鋁。

源漏電極層6覆蓋在基板1上延伸出的有源層4并充分接觸。