[發(fā)明專利]用于形成多結光生伏打結構的剝離方法和光生伏打器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210195820.1
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN102832117A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設計）人: S·W·貝德爾;D·A·薩達納;D·沙杰迪
• 申請（專利權）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/076
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 鮑進

1.一種切割半導體材料的方法，包括：

設置鍺基板，其中，鍺和錫合金層存在于鍺基板內；

在鍺基板上沉積應力體層；

從應力體層向鍺基板施加應力，其中，應力切割鍺基板以提供切割表面，其中，鍺和錫合金層存在于應力體層與鍺基板的切割表面之間；和

對于鍺基板的鍺和錫合金層選擇性地進行鍺基板的切割表面的蝕刻。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，鍺和錫合金層包含0.5at.%～20at.%的錫、少于50at.%的硅和余量的鍺。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，鍺和錫合金層的硅含量被選擇以抵消由鍺和錫合金層的錫含量引起的應力。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，設置鍺基板包括：

形成第一鍺層；

在第一鍺層上形成鍺和錫合金層；和

在鍺和錫合金層上形成第二鍺層，其中，當從應力體層向鍺基板施加應力時，在鍺基板的第一層中形成切割表面。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，第一鍺層包含100%鍺的基材，并且，第二鍺層包含100%鍺的基材。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，鍺和錫合金層的形成包含來自鍺和錫固體源材料的分子束外延、至少來自含鍺的源氣體和含錫的源氣體的化學氣相沉積或它們的組合。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，含錫的源氣體包含錫烷（SnH₄）、Stannane-d4（SnD₄）或它們的組合。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，應力體層由含有金屬的層、聚合物層、粘接帶或它們的組合組成。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在鍺基板上沉積應力體層包含將含有金屬的層粘接連接于鍺基板上。

10.根據權利要求3所述的方法，其中，在第一鍺層的與第一鍺層的上面形成有鍺和錫合金層的表面相對的后表面上，形成后表面場層、后表面鈍化層、隧道層或后太陽能電池結中的至少一個，其中，后表面場層、后表面鈍化層、隧道層或后太陽能電池結中的至少一個提供鍺基板的上面沉積有應力體層的表面。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括與應力體層的與應力體層的沉積于鍺基板上的表面相對的表面接合的操作基板。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，從應力體層向鍺基板施加應力包含向應力體層施加的在鍺基板中產生應力的機械力或向應力體層施加的產生與鍺基板的熱膨脹差以在鍺基板中提供應力的溫度變化，其中，源自向應力體層施加的機械力或溫度變化的鍺基板中的應力導致鍺基板內的裂紋擴展并提供切割表面。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，對于鍺基板的鍺和錫合金層選擇性地進行鍺基板的切割表面的蝕刻包含由過氧化氫構成的濕蝕刻。

14.根據權利要求3所述的方法，還包括對于第二鍺層選擇性地進行鍺和錫合金層的去除。

15.一種切割半導體材料的方法，包括：

設置鍺基板，其中，鍺和錫合金層存在于鍺基板內；

弱化鍺錫合金層；

在鍺基板上沉積應力體層；和

從應力體層向鍺基板施加應力，其中，應力沿鍺錫合金層切割鍺基板。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，鍺和錫合金層包含0.5at.%～20at.%的錫、少于50at.%的硅和余量的鍺。

17.根據權利要求15所述的方法，其中，設置鍺基板包含：

形成第一鍺層；

在第一鍺層上形成鍺和錫合金層；和

在鍺和錫合金層上形成第二鍺層。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，選擇鍺和錫合金層的硅含量以在鍺和錫合金層中提供拉伸應力，或者選擇鍺和錫合金層的錫含量以提供壓縮應力。

19.根據權利要求17所述的方法，其中，弱化鍺錫合金層包含用含氫氣體、含氫的酸或它們的組合處理鍺基板，其中，來自含氫的氣體、含氫的酸或它們的組合的氫擴散到鍺錫合金層以弱化鍺錫合金層內的接合。