[發明專利]具有反射增強層的光伏裝置

在審

• 申請號: 201210195747.8
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN102832262A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: B.A.科雷瓦爾
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孔青;林森

1.光伏裝置(10)，其包括：

含有硫屬化物材料的吸收層(20)；

背接觸(40)；和

放置在所述吸收層(20)與所述背接觸(40)之間的反射增強層(30)。

2.權利要求1的光伏裝置(10)，其進一步包括中間層(50)，其中所述吸收層(20)放置在所述中間層(50)與所述反射增強層(30)之間。

3.權利要求1的光伏裝置(10)，其中所述吸收層(20)包括鎘和碲，所述光伏裝置(10)進一步包括中間層(50)，其中所述吸收層(20)放置在所述中間層(50)與所述反射增強層(30)之間，和

其中所述中間層(50)包含選自以下的材料：硫化鎘(CdS)、硫化銦(III)?(In₂S₃)、硫化鋅(ZnS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鎘鎂(CdMgTe)、硒化鎘(CdSe)、含氧的硫化鎘(CdS:O)、氧化銅(Cu₂O)、無定形或微晶硅和Zn(O,H)及其組合。

4.權利要求3的光伏裝置(10)，其中所述吸收層(20)的厚度小于約2微米。

5.權利要求1的光伏裝置(10)，其中所述反射增強層(30)包含至少一種透明導電材料，并且其中所述透明導電材料具有大于所述吸收層(20)的光學帶隙的光學帶隙。

6.權利要求5的光伏裝置(10)，其中所述反射增強層(30)的厚度t在約50-300?nm范圍內，并且其中所述透明導電材料選自BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、LaCuOS、LaCuOS、(LaSr)CuOS、LaCuOSe、LaCuOSe:Mg、LaCuOTe、LaCuOSe0:6Te0:4、BiCuOSe、(BiCa)CuOSe、PrCuOSe、NdCuOS、其中x+y+z=3的Co_xZn_yNi_zO₄及其組合。

7.權利要求1的光伏裝置(10)，其中所述硫屬化物材料包含由下式表示的摻雜或未摻雜的組合物：Cu_xZn_ySn_zS_4-qSe_q，其中1.8<x<2.2，0.8<y<1.2，0.8<z<1.2和0≦q≦4。

8.光伏裝置(10)，其包括：

含有鎘和碲的吸收層(20)；

背接觸(40)；和

放置在所述吸收層(20)與所述背接觸(40)之間的反射增強層(30)，其中所述反射增強層(30)包含至少一種透明導電材料；和

中間層(50)，其中所述吸收層(20)放置在所述中間層(50)與所述反射增強層(30)之間，和其中所述中間層(50)包括選自以下的材料：硫化鎘(CdS)、硫化銦(III)?(In₂S₃)、硫化鋅(ZnS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鎘鎂(CdMgTe)、硒化鎘(CdSe)、含氧的硫化鎘(CdS:O)、氧化銅(Cu₂O)、無定形或微晶硅和Zn(O,H)及其組合。

9.權利要求8的光伏裝置(10)，其中所述透明導電材料選自BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、LaCuOS、LaCuOS、(LaSr)CuOS、LaCuOSe、LaCuOSe:Mg、LaCuOTe、LaCuOSe0:6Te0:4、BiCuOSe、(BiCa)CuOSe、PrCuOSe、NdCuOS、其中x+y+z=3的Co_xZn_yNi_zO₄及其組合，所述光伏裝置(10)進一步包括放置在所述吸收層(20)與所述反射增強層(30)之間的緩沖層(90)。

10.光伏裝置(10)，其包括：

含有硫屬化物材料的吸收層(20)，其中所述硫屬化物材料包含由下式表示的摻雜或未摻雜的組合物：Cu_1-yIn_1-xGa_xSe_2-zS_z，其中0≦x≦1；0≦y≦0.3和0≦z≦2；

背接觸(40)；和

放置在所述吸收層(20)與所述背接觸(40)之間的反射增強層(30)，其中所述反射增強層(30)包含至少一種透明導電材料，和其中所述透明導電材料具有大于所述吸收層(20)的光學帶隙的光學帶隙。