[發(fā)明專利]相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210195688.4
• 申請(qǐng)日: 2012-06-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102881823A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈俊燮;孫在現(xiàn);李大雄;吳榮訓(xùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

1.一種相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件即PCRAM器件，包括：

底電極接觸，所述底電極接觸被形成在包括下結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底上；

相變材料圖案，所述相變材料圖案分別與所述底電極接觸接觸；以及

熱絕緣單元，所述熱絕緣單元被形成在所述相變材料圖案之間。

2.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，其中，將所述相變材料圖案在字線方向和位線方向上圖案化為島型。

3.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述熱絕緣單元包括空隙。

4.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述熱絕緣單元被干空氣填充。

5.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述熱絕緣單元被氮?dú)馓畛洹?/p>

6.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述熱絕緣單元處于真空狀態(tài)。

7.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，還包括層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成在所述相變材料圖案之間以將所述相變材料圖案絕緣，

其中，所述熱絕緣單元被形成在所述相變材料圖案之間的所述層間絕緣層中。

8.如權(quán)利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述襯底的下結(jié)構(gòu)包括開(kāi)關(guān)器件、字線或位線。

9.一種制造相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件即PCRAM器件的方法，包括以下步驟：

在包括被第一層間絕緣層絕緣的底電極接觸的半導(dǎo)體襯底上形成相變材料層；

通過(guò)將分別要與所述底電極接觸電接觸的所述相變材料層圖案化，來(lái)形成相變材料圖案，其中，形成所述相變材料圖案的步驟包括刻蝕在所述相變材料圖案之間的所述第一層間絕緣層；以及

在包括所述相變材料圖案和經(jīng)刻蝕的第一層間絕緣層的所述半導(dǎo)體襯底上形成第二層間絕緣層。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述相變材料圖案的步驟包括在字線方向和位線方向上刻蝕所述相變材料層。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述第二層間絕緣層的步驟包括在所述相變材料圖案之間造成空隙。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述空隙中填充干空氣的步驟。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述空隙中填充氮?dú)獾牟襟E。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述空隙中執(zhí)行真空處理的步驟。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第二層間絕緣層的步驟包括在所述相變材料圖案之間造成空隙。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述空隙中填充干空氣的步驟。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述空隙中填充氮?dú)獾牟襟E。

18.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述空隙中執(zhí)行真空處理的步驟。

19.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第二層間絕緣層包括具有差的間隙填充特性的材料。

20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二層間絕緣層是利用高密度等離子體沉積法由氧化硅SiO₂層形成的。