[發(fā)明專利]確定覆蓋誤差的方法和動(dòng)態(tài)控制中間掩模位置的控制系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210195645.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103246152A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李永堯;王盈盈;蔡飛國(guó);劉恒信 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/00 | 分類號(hào): | G03F1/00;G03F1/44;G03F1/76 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 確定 覆蓋 誤差 方法 動(dòng)態(tài)控制 中間 位置 控制系統(tǒng) | ||
1.一種減少覆蓋誤差的方法,包括:
將部件的圖案從中間掩模轉(zhuǎn)印至晶圓;
在第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)處測(cè)量所述中間掩模上的圖案和所述晶圓上的圖案之間的位置差;
基于所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)確定第二組數(shù)據(jù)點(diǎn),所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)為所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)的子集,其中,所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)的位置表示所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)中的至少一個(gè)的位置,并且所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)量大于所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)量;以及
基于所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)改變所述中間掩模的位置以使所述位置差最小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:確定至少一個(gè)固定數(shù)據(jù)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,確定所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)包括:從所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)中選擇數(shù)據(jù)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,確定所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)包括:
確定至少一個(gè)區(qū)域數(shù)據(jù)點(diǎn);
確定至少一個(gè)可變數(shù)據(jù)點(diǎn),其中
所述至少一個(gè)區(qū)域數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)量和所述至少一個(gè)可變數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)量的總和等于所述第二組數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,確定多個(gè)固定數(shù)據(jù)點(diǎn)包括接收來自用戶的輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:在部件的圖案中確定多個(gè)區(qū)域邊界;以及
在所述多個(gè)區(qū)域邊界的每一個(gè)內(nèi)定位所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)中的至少一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括:在部件的圖案中確定多個(gè)區(qū)域邊界以限定多個(gè)區(qū)域;以及
在所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)內(nèi)定位所述第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)中的至少一個(gè),其中
確定區(qū)域數(shù)據(jù)點(diǎn)包括對(duì)于所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)選擇所述多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)內(nèi)的第一組數(shù)據(jù)點(diǎn)中的至少一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,確定至少一個(gè)可變數(shù)據(jù)點(diǎn)包括選擇表征所述位置差的一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。
9.一種中間掩模,包括:
遮光層,具有第一表面和第二表面;
開口圖案,從所述第一表面延伸到所述第二表面;
至少一個(gè)域,其中,每個(gè)域都包括:
至少一個(gè)第一開口,定位在與對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)固定測(cè)量位置相關(guān)的對(duì)應(yīng)域中;
至少一個(gè)第二開口,定位在與對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)區(qū)域測(cè)量位置相關(guān)的對(duì)應(yīng)域中;和
至少一個(gè)第三開口,定位在與對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)可變測(cè)量位置相關(guān)的對(duì)應(yīng)域中。
10.一種反饋控制系統(tǒng),包括:
中間掩模圖案化裝置,被配置成將圖案從中間掩模轉(zhuǎn)印至晶圓;
位置測(cè)量工具,被配置成測(cè)量所述晶圓上的圖案的至少一個(gè)部件的位置,其中,至少一個(gè)位置表征所述中間掩模的一部分相對(duì)于所述晶圓的位置;以及
控制器,被配置成接收來自所述位置測(cè)量工具的位置數(shù)據(jù)并基于所述位置數(shù)據(jù)將至少一個(gè)控制信號(hào)傳輸至所述中間掩模圖案化裝置。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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