[發(fā)明專利]P通道閃存結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210195468.1
• 申請(qǐng)日: 2012-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN103390636A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜淳遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常憶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/40
• 分類號(hào): H01L29/40;H01L27/115
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種P通道閃存結(jié)構(gòu)，包括：

N型摻雜基底；

穿隧氧化層，設(shè)置于該N型摻雜基底上；

氮化物柵極，設(shè)置于該穿隧氧化層上；

柵間介電層，設(shè)置于該氮化物柵極上；

控制柵極，設(shè)置于該柵間介電層上；

第一P型摻雜區(qū)，設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氮化物柵極下方的一側(cè)，并用以作為該P(yáng)通道閃存結(jié)構(gòu)的源極；以及

第二P型摻雜區(qū)，設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氮化物柵極下方的另一側(cè)，并用以作為該P(yáng)通道閃存結(jié)構(gòu)的漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P通道閃存結(jié)構(gòu)，其中該穿隧氧化層的厚度小于約2毫米，該氮化物柵極的厚度小于約5毫米，而該柵間介電層的厚度小于約4毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P通道閃存結(jié)構(gòu)，其中該P(yáng)通道閃存結(jié)構(gòu)采用福勒諾漢寫入機(jī)制，且滿足下列式子：

(3.01-1.05)Tox1>Eox1>(3.01-1.05)Tox1+eOX/eN×TN,]]>

其中Eox1為跨于該穿隧氧化層之間的電場(chǎng)、Tox1為該穿隧氧化層的厚度、TN為該氮化物柵極的厚度、eOX為該穿隧氧化層的介電系數(shù)及eN為該氮化物柵極的介電系數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P通道閃存結(jié)構(gòu)，還包括：

P型微摻雜區(qū)，設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氮化物柵極下方，并緊鄰于該第一P型摻雜區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P通道閃存結(jié)構(gòu)，還包括：

保護(hù)層，包覆于該P(yáng)通道閃存結(jié)構(gòu)的外側(cè)，其中該P(yáng)通道閃存結(jié)構(gòu)的該控制柵極露出。

6.一種P通道閃存結(jié)構(gòu)，包括：

P通道控制柵極晶體管，包括：

N型摻雜基底；

穿隧氧化層，設(shè)置于該N型摻雜基底上；

氮化物柵極，設(shè)置于該穿隧氧化層上；

柵間介電層，設(shè)置于該氮化物柵極上；

控制柵極，設(shè)置于該柵間介電層上；

第一P型摻雜區(qū)，設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氮化物柵極下方的一側(cè)，并用以作為該P(yáng)通道控制柵極晶體管的源極；以及

第二P型摻雜區(qū)，設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氮化物柵極下方的另一側(cè)，并用以作為該P(yáng)通道控制柵極晶體管的漏極；以及

P通道選擇柵極晶體管，包括：

該N型摻雜基底；

氧化物層，設(shè)置于該N型摻雜基底上；

選擇柵極，設(shè)置于該氧化物層上；

第三P型摻雜區(qū)，設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氧化物層下方的一側(cè)，并用以作為該P(yáng)通道選擇柵極晶體管的漏極；以及

該第二P型摻雜區(qū)，其中該第二P型摻雜區(qū)更用以作為該P(yáng)通道選擇柵極晶體管的源極，并設(shè)置于該N型摻雜基底中且位于該氧化物層下方的另一側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的P通道閃存結(jié)構(gòu)，其中該P(yáng)通道控制柵極晶體管的該穿隧氧化層的厚度小于約2毫米，該氮化物柵極的厚度小于約5毫米，而該柵間介電層的厚度小于約4毫米。