[發明專利]中壓高能氧化鋅電阻片的制造方法

無效

• 申請號: 201210194842.6
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN102723157A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 李發運
• 申請（專利權）人: 揚州發運電氣有限公司
• 主分類號: H01C17/30
• 分類號: H01C17/30;H01C7/112;C04B35/622;C04B35/453
• 代理公司: 揚州蘇中專利事務所(普通合伙) 32222
• 代理人: 王玉霞

技術領域

本發明涉及一種中壓高能氧化鋅電阻片的制造方法，屬于電阻片制備技術領域。

背景技術

從配方體系看，目前氧化鋅電阻片主要分為ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃系和ZnO-Bi₂O₃-TiO₂系。在ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃系中Sb-2O-3在燒結過程中在氧化鋅基質中形成尖晶石相Zn-7Sb-2O-(12),該相釘扎在氧化鋅晶體之間,抑制了氧化鋅晶粒的長大,因此適量的Sb-2O-3摻雜有利于氧化鋅復合陶瓷燒結致密。其特點是晶粒粒徑小（6-18μm）、梯度高?（200-300V/mm）、殘壓比低、但通流能力偏弱。ZnO-Bi₂O₃-TiO₂系電阻片的特點是晶粒平均粒徑偏大（30-60μm）、梯度低（30-70V/mm）、通流能量高、但限制電壓比（殘壓比偏高）。現有技術中，這兩種體系均無法滿足中壓高通流，較低殘壓比的要求。因此，需要一種新的制造氧化鋅電阻片的方法。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種中壓高能氧化鋅電阻片的制造方法，本發明可大幅降低電阻片的中壓電阻殘壓比，提高通流性能。

為解決上述技術問題，本發明中壓高能氧化鋅電阻片的制造方法，包括以下步驟：

（1）原料配比：以摩爾百分比計，添加料：三氧化二銻?0.5-1.2%、二氧化鈦0.1-0.6%、三氧化二鉍?0.5-1.3%、三氧化二鈷0.8-2.1%、碳酸錳?0.6-1.3%、硝酸銀0.001-0.003%、二氧化錫0.3-0.6%、碳酸鍶0.002-0.005%、硼酸0.001-0.006%，余量為主料氧化鋅；??????????????

（2）球磨：按步驟（1）的配比稱取除主料氧化鋅外的所有組份即添加料加入球磨機中，按添加料：純水=1:1比例加入純水，攪拌球磨3-5小時；???

（3）添加料與氧化鋅的混合及噴霧造粒：分散磨中加入球磨好的添加料、氧化鋅及結合劑、硝酸鋁，球磨2-4小時，結合劑與氧化鋅的重量比為1:100，硝酸鋁與添加料的重量比為1:300；控制漿料溫度55℃-60℃，進行噴霧造粒，制成料粉；

（4）含水、成型：將制得的料粉按1-2%進行含水，陳腐12-24小時，按3.2-3.25g/cm³壓制成產品；

（5）燒結：將壓制得到的產品于420℃排除結合劑，反應時間20-24小時，再于1100-1200℃燒結，保溫2-4小時。

步驟（3）中所述料粉的粒徑控制在80-120μm。

步驟（4）中所述含水工藝中加入脫模劑丙三醇。

步驟（3）中所述結合劑為PVA-1799。

本發明具有以下有益效果：第一，通過調整借鑒兩種配方體系各自特點，再添加適量組分，達到在燒結過程中有效控制氧化鋅晶粒均勻增長從而達到提高產品性能的目的。可使燒成后產品梯度達到100-120V/mm，殘壓比以Ф60電阻片為例，10kA殘壓比可控制在1.85-1.90，而普通低壓高能電阻片同直徑產品殘壓比多在2.1-2.3之間。第二，在現有ZnO-Bi₂O₃-TiO₂系配方基礎上適量添加了三氧化二銻（Sb₂O₃），在燒結過程中它可與體系中的三氧化二鉍（Bi₂O₃）和氧化鋅（ZnO）反應生成焦綠石相，焦綠石相在850℃左右轉變為尖晶石相均勻分布于晶界中，通過扎釘效應抑制氧化鋅晶粒異常生長，同時可以通過調節三氧化二銻的摻加量有效控制氧化鋅晶粒的平均粒徑，在滿足通流能力的前提下，有效降低產品厚度，減小殘壓比。

將本發明與傳統低壓高能產品進行性能對比，均以尺寸為Ф60h20（直徑60mm，高度20mm）的產品，各100片進行如下性能對比，結果見表1。

表1???本發明與傳統低壓高能產品性能對比

從表1中，可得出本發明制得的電阻片具有電位梯度適中，通流性能優良的特點。

具體實施方式

實施例1

中壓高能氧化鋅電阻片的制造方法，包括以下步驟：