[發明專利]集成封裝的LED植物照明模組

無效

• 申請號: 201210194617.2
• 申請日: 2012-06-13
• 公開（公告）號: CN103486493A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 楊亞峰;劉凱;錢松
• 申請（專利權）人: 普羅斯電器（中國）有限公司
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V23/06;A01G9/20;H01L25/075;H01L33/56;F21Y101/02
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

技術領域

本發明涉及一種集成封裝的LED植物照明模組，尤其涉及一種可單獨控制每一路LED支路的高透光率集成封裝的LED植物照明模組。

背景技術

光環境是植物生長發育不可缺少的重要物理環境因素之一，通過研究發現，在所有的光合放氧生物中，都有葉綠素a?的存在，葉綠素a對太陽光有兩個吸收高峰，分別是440納米附近的藍區和680納米附近的紅區，一個位于藍光區域，一個位于紫光區域，而對于處在500－600納米之間的綠光吸收的甚少，所以我們看到的植物基本上都是綠色。植物界中，占主導地位的是綠色植物，包括所有的被子植物、裸子植物、蕨類植物、苔蘚植物和藻類植物中的綠藻。它們葉綠體中除含有葉綠素a外，還含有葉綠素b。葉綠素b的吸收高峰也是在藍區和紅區，分別為470納米和650納米，而對于處在500－600納米的綠光同樣很少吸收，絕大部分被反射回來，所以我們在自然界中到處都能看到這些綠色植物。通過光質調節，控制植株形態建成是設施栽培領域的一項重要技術。近十年來，我國園藝面積發展迅速，植物生長的光環境控制照明技術已經引起重視。傳統人工光源發出的光含有紅外光，產生太多熱量，使植物的水分加快蒸發，而且傳統光源發光的波段比較復雜，不利于植物的生長。更重要的一點是傳統光源由于含汞等重金屬，污染環境。

然而，作為第四代新型照明光源，LED具有許多不同于其他電光源的特點，這也使其成為節能環保光源的首選。應用于植物照明領域的LED還表現以下特征：波長類型豐富、正好與植物光合成和光形態建成的光譜范圍吻合；頻譜波寬度半寬窄，可按照需要組合獲得純正單色光與復合光譜；可以集中特定波長的光均衡地照射作物；不僅可以調節作物開花與結實，而且還能控制株高和植物的營養成分；發出的光不含紅外光，發熱少，占用空間小，可用于多層栽培立體組合系統，實現了低熱負荷和生產空間小型化；此外，其超長的壽命也降低了運行成本。由于這些顯著的特征，LED十分適合應用于可控設施環境中的植物栽培，如植物組織培養、設施園藝與工廠化育苗和航天生態生保系統等。

現有的LED植物照明光源不能根據需要調節其波長和亮度，且發光效率低。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術存在的缺陷，提供一種可根據需要調節其波長和亮度的集成封裝的LED植物照明模組，且其發光效率高。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種集成封裝的LED植物照明模組，包括集成LED支架，該支架上固連有若干紅光LED芯片、藍光LED芯片和白光LED芯片，所述集成LED支架上設置有若干組兩兩對應的電極，所述LED芯片分成若干組，各組芯片分別串聯在各組電極之間。

所有LED芯片均被高透光率的透明硅膠層覆蓋封裝。

所述集成LED支架具有一底面，該底面上開有若干晶槽，各LED芯片分別通過銀膠固定在各晶槽里，所述透明硅膠層覆蓋在該底面上將LED芯片封裝。

所述集成LED支架由高導熱材料制成。

所述紅光LED芯片的波長為660納米。

所述藍光LED芯片的波長為460納米。

所述白光LED芯片的波長為580納米。

有益效果：（一）可以單獨控制每一路LED工作，根據不同的植物以及不同的外界光線，可以提供不同波長的照明以及不同的照明亮度，達到節能減排的目的；（二）采用高透光率的透明硅膠覆蓋光源，使發光效率更高；（三）采用高性能LED芯片進行封裝，提高了光源的使用壽命。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

圖1是本發明的優選實施例的結構示意圖。

其中:1、集成LED支架；11、電極；2、紅光LED芯片；3、藍光LED芯片；4、白光LED芯片；5、透明硅膠層。

具體實施方式

如圖1所示的一種集成封裝的LED植物照明模組，包括由高導熱材料制成的集成LED支架1、若干紅光LED芯片2、藍光LED芯片3、白光LED芯片4和高透光率的透明硅膠層5。所述集成LED支架1具有一底面，該底面上開有若干晶槽，各LED芯片分別通過銀膠固定在各晶槽里，所述透明硅膠層5覆蓋在該底面上將LED芯片封裝。集成LED支架1的底面上還設置有若干組兩兩對應的電極11，所述LED芯片2、3、4分成若干組，各組芯片分別串聯在各組電極之間。所述紅光LED芯片2的波長為660納米；所述藍光LED芯片3的波長為460納米；所述白光LED芯片4的波長為580納米。