[發明專利]一種低電感元件的制造方法無效
| 申請號： | 201210192359.4 | 申請日： | 2012-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN103489604A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 徐敖金 | 申請（專利權）人： | 徐敖金 |
| 主分類號： | H01F41/00 | 分類號： | H01F41/00;H01F1/047;H01F17/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213234 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電感 元件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低電感元件的制造方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
A、將50wt％高磁通合金磁粉、50wt％低磁通合金磁粉混合形成導磁材料；?
B、將所述線圈和磁棒置入注射成型機上預設的模具內；
C、加溫到80-350℃，使所述導磁材料成為流體，射入模具內后凝結成型，將線圈和磁棒的周圍均勻地完全包覆，脫模即可。
2.根據權利要求1所述的低電感元件的制造方法，其特征在于，所述高磁通合金磁粉的顆粒大小為7μm～9μm，所述低磁通合金磁粉的顆粒大小為3μm～5μm。
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