[發明專利]鈍化后互連結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201210192129.8
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN103247593A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 陳憲偉;吳逸文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

鈍化層，覆蓋所述半導體襯底；

互連層，覆蓋所述鈍化層；

介電層，形成為覆蓋所述互連層但不覆蓋所述互連層的第一部分，其中，所述介電層包括氮化物；

保護層，形成為覆蓋所述介電層但不覆蓋所述互連層的第一部分；以及

凸塊，形成為覆蓋所述互連層的第一部分并與所述互連層的第一部分電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述介電層包括氮化硅層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：金屬化層，位于所述凸塊和所述互連層的第一部分之間。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述金屬化層包括含鈦層和含銅層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述保護層包括聚合物層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述互連層包括銅層或銅合金層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：另一保護層，位于所述互連層和所述鈍化層之間。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述另一保護層包括聚合物層。

9.一種封裝組件，包括通過焊料接合結構電連接至襯底的半導體器件，

其中，所述半導體器件包括：

鈍化后互連(PPI)結構；

介電層，形成在所述PPI結構上方，但不覆蓋所述PPI結構的第一部分；以及

保護層，形成在所述介電層上方，但不覆蓋所述PPI結構的第一部分，

其中，所述襯底包括導電區域；以及

其中，所述焊料接合結構形成在所述PPI結構的第一部分和所述襯底的導電區域之間。

10.一種方法，包括：

形成覆蓋半導體襯底的第一聚合物層；

形成覆蓋所述第一聚合物層的互連層；

在所述互連層的露出表面和所述第一聚合物層上方形成介電層；

在所述介電層上方形成第二聚合物層；

在所述第二聚合物層中形成開口以露出所述介電層的一部分；

去除所述介電層的露出部分，以露出所述互連層的第一部分；以及

在所述互連層的第一部分的上方形成凸塊。