[發明專利]單模光纖及其制造方法

有效

• 申請號: 201210192058.1
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN102819063A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: M·比戈-阿斯楚克;P·斯拉德
• 申請（專利權）人: 德拉克通信科技公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;C03B37/018
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種單模光纖，其從中心到外周依次包括纖芯、凹陷內包層、環、凹陷外包層以及外包層，其中：

所述纖芯的半徑為a，并且所述纖芯相對于所述外包層的折射率差Dn₁-Dn_cl為-0.5×10^-3~0.5×10^-3；

所述凹陷內包層的半徑為r_ring1，并且所述凹陷內包層相對于所述外包層的折射率差為Dn_inner-Dn_cl；

所述環的內半徑r_ring1為21μm~35μm，優選為24μm~35μm，所述環的外半徑為r_ring2，并且所述環相對于所述外包層的折射率差Dn_ring-Dn_cl為-0.5×10^-3~0.5×10^-3；

所述凹陷外包層的半徑為r_out，并且所述凹陷外包層相對于所述外包層的折射率差為Dn_out-Dn_cl；以及

所述纖芯的體積分V_core相對于所述環的寬度w_ring的比值為0.12μm~0.2μm，其中，

Vcore=2π|∫0aDn(r)rdr|]]>并且w_ring=r_ring2-r_ring1；

所述凹陷外包層的體積分V_out為15μm²~30μm²，其中，

Vout=2π|∫rring2routDn(r)rdr|.]]>

2.根據權利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述纖芯的半徑a為3.5μm~7.5μm。

3.根據權利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，所述凹陷內包層相對于所述外包層的折射率差Dn_inner-Dn_cl為-6×10^-3～-2.7×10^-3。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的單模光纖，其特征在于，所述凹陷外包層相對于所述外包層的折射率差Dn_out-Dn_cl為-6×10^-3～-2×10^-3。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的單模光纖，其特征在于，所述凹陷外包層相對于所述凹陷內包層的折射率差Dn_out-Dn_inner為-2×10^-3~2×10^-3。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的單模光纖，其特征在于，所述環的內半徑相對于所述纖芯的半徑的比值r_ring1/a為2.5~8。