[發明專利]封裝的半導體器件及封裝半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210191944.2
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN103187388A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 林俊成;洪瑞斌;劉乃瑋;茅一超;施婉婷;董簪華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種封裝的半導體器件，包括：

接觸焊盤，位于半導體管芯上；

絕緣層，包圍所述接觸焊盤；以及

模塑料，包圍所述絕緣層，其中，所述模塑料與所述絕緣層的兩個鄰近的且非線性的表面相接觸。

2.根據權利要求1所述的封裝的半導體器件，其中，布線層設置在所述接觸焊盤上并物理連接至所述接觸焊盤，其中，所述布線層延伸到所述半導體管芯的邊界之外。

3.根據權利要求1所述的封裝的半導體器件，其中，包圍所述接觸焊盤的所述絕緣層具有薄部和厚部，并且其中，所述薄部的厚度處于約1μm至約30μm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的封裝的半導體器件，其中，保護層位于所述接觸焊盤和所述絕緣層之間。

5.根據權利要求1所述的封裝的半導體器件，其中，所述接觸焊盤是銅柱并且在下面具有凸塊下金屬化層。

6.根據權利要求1所述的封裝的半導體器件，其中，所述接觸焊盤的厚度大于所述絕緣層的厚度。

7.一種封裝的半導體器件，包括：

接觸焊盤，位于半導體管芯上；

絕緣層，包圍所述接觸焊盤；

保護層，其中，所述保護層位于所述接觸焊盤和所述絕緣層之間；以及

模塑料，包圍所述絕緣層，其中，所述模塑料與所述絕緣層的兩個鄰近的且非線性的表面相接觸。

8.一種封裝半導體器件的方法，所述方法包括：

提供半導體器件，其中，所述半導體器件具有接觸焊盤；

在所述半導體器件上方形成絕緣層，其中，所述接觸焊盤的厚度大于所述絕緣層的厚度；

形成模塑料以覆蓋所述半導體器件以及位于所述半導體器件和相鄰的半導體器件之間的間隔，其中，這兩個半導體器件都位于載具晶圓上；以及

通過去除位于所述接合焊盤上方的所述模塑料和所述絕緣層來平坦化所述半導體器件的表面。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述半導體器件上方形成再分布層(RDL)，其中，將所述RDL連接至所述接觸焊盤，并且其中，所述RDL延伸到所述半導體器件的邊界之外。

10.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述接觸焊盤和所述絕緣層之間形成保護層。