[發明專利]一種發光元件及其制作方法

無效

• 申請號: 201210191933.4
• 申請日: 2012-06-12
• 公開（公告）號: CN103489980A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 洪瑞華;郭育瑋
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術領域

本發明是關于一種發光元件技術，特別是一種未具有遮光電極的發光元件。

背景技術

發光二極管元件(LED)已發展成為綠色光源的關鍵技術，并逐漸應用于照明科技領域，有機會取代傳統的光源產品。發光二極管元件依照結構可分成水平式及垂直式兩種，其皆具有表面電極遮光的問題，而影響發光二極管的光輸出效率及其發光形狀或光型。此外，對于傳統采用金屬基板的發光二極管元件，當進行晶粒接合及晶粒切割時，常會遭遇元件漏電或良率不高的問題。

為解決上述發光二極管元件的問題，有人提出覆晶型的發光元件結構及制作方法，但卻會因為背面對位產生工藝難度高的新問題，且須使用低反射率材料的金屬球作為接合面導電材質，以致影響發光元件的反射機制，造成亮度損失。因此，有必要發展新的發光二極管元件結構以對治及改善。

發明內容

為達成此目的，本發明提供一種發光元件及其制作方法，以解決上述現有技術中所存在的問題，

根據本發明的一方面，一實施例提供一種發光元件，其包括：一基板；一第一電極，形成于所述基板上；一發光結構，形成于所述第一電極上，所述發光結構包含一第一非本征半導體層、一第二非本征半導體層、及一介于所述第一非本征半導體層與所述第二非本征半導體層之間的主動層；一第一絕緣層，形成于所述發光結構的側壁上；以及一第二電極，連接所述第一非本征半導體層；其中，所述第一電極包含一形成于所述第一絕緣層側壁上的第一分支、一形成于所述第一絕緣層下的第二分支、及一形成于所述第二非本征半導體層邊緣的第三分支。此外，所述第一電極可進一步包括一形成于所述第二非本征半導體層下的導電材料層。

在本發明的另一方面，另一實施例提供一種制作發光元件的方法，其包括：提供一第一基板，其上側面具有一絕緣層；提供一發光結構，其形成于一第二基板上，所述發光結構包含一第一非本征半導體層、一主動層、及一第二非本征半導體層；形成一電極層于所述半導體結構上；對所述電極層及所述發光結構進行臺面蝕刻，以定義出所述發光元件的發光區域圖案，并外露出部分的所述第一非本征半導體層；形成一第一電極墊于所述第一非本征半導體層的所述外露部分上及一第二電極墊于所述電極層的邊緣上；形成一保護層于上述被臺面蝕刻的所述電極層及所述發光結構的側壁；形成一導電部于所述保護層的側壁上，并連接所述導電部與所述第二電極墊；將具有所述發光結構的所述第二基板翻覆，并通過一粘著劑而與所述第一基板面對面粘貼在一起；移除所述第二基板；以及對所述發光結構進行圖案化處理，以外露出所述第一電極墊及所述導電部。

通過如上所述的發光元件制作方法，所述發光元件的電極及其接線布局或結構設計將可改善現有發光二極管的表面電極遮去其發光面的問題，因而所述發光元件的發光效率高，且其輸出光型不會受到電極配置的影響。

附圖說明

圖1為根據本發明實施例的發光元件的剖面結構圖；

圖2為根據本發明另一實施例的發光元件的剖面結構圖；

圖3至12為根據本發明實施例的發光元件的制作流程所對應的元件剖面圖。

附圖標記說明：

100/200-發光元件；110-基板；112-硅基板；114-反射層；116-第二絕緣層；120-第一電極層；121-第一分支；122-第二分支；123-第三分支；124-導電材料層；130-發光結構；132-第一非本征半導體層；134-主動層；136-第二非本征半導體層；138-本征半導體層；140-第一絕緣層；150-第二電極層；160/260-粘膠層；171/172-粗糙結構；310-第二基板；320-電極層；330-發光結構；331-本征氮化鎵層；332-n型氮化鎵層；333-主動層；334-p型氮化鎵層；340-保護層；351-第一電極墊；352-第二電極墊；360-導電部；361-第一支部；362-第二支部；363-第三支部；370-粘膠層；380-第一基板；381-硅基板；382-反射層；383-絕緣層。

具體實施方式

為使貴審查委員能對本發明的特征、目的及功能有更進一步的認知與了解，茲配合圖式詳細說明本發明的實施例如后。在所有的說明書及圖示中，將采用相同的元件編號以指定相同或類似的元件。