[發明專利]一種鎢化學氣相沉積系統的清洗方法

有效

• 申請號: 201210191411.4
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN102691050A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 梁海林;牟善勇;姜國偉;羅杰
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/06;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，包括：

在反應腔中載入硅片到加熱器上；

清洗反應腔。

2.如權利要求1所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，所述硅片上具有鎢薄膜層。

3.如權利要求2所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，所述硅片為循環多次使用的硅片。

4.如權利要求3所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，所述硅片的數量與鎢化學氣相沉積設備的反應腔數量一致。

5.如權利要求1所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，利用等離子體工藝清洗反應腔。

6.如權利要求5所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，所述等離子體工藝的反應物包括氟的無機化合物和鎢。

7.如權利要求1所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，在清洗反應腔步驟之后，還包括如下步驟：

腔內鎢沉積；

載出所述硅片到冷卻腔中。

8.如權利要求1所述的鎢化學氣相沉積系統的清洗方法，其特征在于，每加工6片產品后進行反應腔的清洗。