[發明專利]背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法

有效

• 申請號: 201210191284.8
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN102693994B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: 劉瑋蓀
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底的正面上形成圖形化的研磨停止層；

在所述襯底和所述圖形化的研磨停止層上形成外延層，并進行化學機械研磨平坦化所述外延層；

在所述外延層內形成光電二極管；

在所述外延層上形成器件層；

對所述襯底的背面進行背面拋光；

對所述襯底的背面進行化學機械研磨直到暴露出圖形化的研磨停止層；

刻蝕去除所述圖形化的研磨停止層，暴露出所述外延層；

進行化學機械研磨平坦化所述外延層。

2.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底，所述圖形化的研磨停止層為氧化硅或者氮化硅。

3.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，所述圖形化的研磨停止層的厚度范圍為

4.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，在所述襯底和所述圖形化的研磨停止層上形成外延層，并進行化學機械研磨平坦化所述外延層的步驟包括：

在所述襯底和圖形化的研磨停止層上依次形成第一外延層和第二外延層；

進行化學機械研磨平坦化所述第二外延層，直至形成平坦化的表面。

5.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，在所述襯底和所述圖形化的研磨停止層上形成外延層，并進行化學機械研磨平坦化所述外延層的步驟包括：

在所述襯底和圖形化的研磨停止層上依次形成第一外延層和第二外延層；

進行化學機械研磨平坦化所述第二外延層和第一外延層，直至形成平坦化的表面。

6.如權利要求4或5所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，采用CVD工藝形成所述第一外延層和第二外延層，形成所述第二外延層的CVD工藝的溫度大于形成所述第一外延層的CVD工藝的溫度。

7.如權利要求6所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，形成所述第二外延層的CVD工藝的溫度范圍為600℃~900℃，形成所述第一外延層的CVD工藝的溫度范圍為900℃~1300℃。

8.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，對所述襯底的背面進行背面拋光后，剩余的襯底的厚度范圍為5μm~10μm。

9.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器的背面處理方法，其特征在于，在進行化學機械研磨平坦化所述外延層之后，還包括：在所述外延層上裝配彩色濾光器和微透鏡。