[發明專利]一種水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修飾的CdTe量子點的制備方法

無效

• 申請號: 201210190538.4
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN102719253A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 肖琦;黃珊;蘇煒
• 申請（專利權）人: 廣西師范學院
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88
• 代理公司: 廣西南寧公平專利事務所有限責任公司 45104
• 代理人: 王素娥

1.一種水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修飾的CdTe量子點的制備方法，其特征在于，操作步驟如下：

1）配制作為碲源的碲氫化鈉NaHTe或碲氫化鉀KHTe溶液：將摩爾比為2∶1～5∶1的硼氫化鈉NaBH₄或硼氫化鉀KBH₄和碲粉Te置于水中，在氮氣保護下，在70～100°C下攪拌反應1～20h，得到碲氫化鈉NaHTe或碲氫化鉀KHTe溶液；

2）在三頸燒瓶中配制作為鎘源的鎘鹽和水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸溶液，其中Cd²⁺的濃度為0.0005～0.02mol/L，調節溶液的pH值為8.0～13.0，在氮氣保護下，注入步驟1）中制備的碲氫化鈉NaHTe或碲氫化鉀KHTe溶液50μL～8mL，在70～100°C下加熱回流5～120min，得到熒光發射波長可調、熒光量子產率高的水溶性CdTe量子點溶液；

上述方法的步驟?1）和?步驟2）中，反應物中Cd²⁺∶N-乙酰-L-半胱氨酸∶NaHTe或KHTe的摩爾比為1∶1～3∶0.1～0.8；

上述的反應所用的鎘鹽為氯化鎘、溴化鎘或碘化鎘；

上述的反應所用的碲粉為含量99.8%、規格200目的碲粉；

上述的反應所用的修飾劑為穩定性高、環境友好、生物相容性好的N-乙酰-L-半胱氨酸。