[發(fā)明專利]一種多晶硅鑄錠用梯度坩堝的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210190127.5 | 申請日： | 2012-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN102677166A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 熊震;付少永 | 申請（專利權）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張欣;張政權 |
| 地址： | 213031 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 鑄錠 梯度 坩堝 制備 方法 | ||
1.一種梯度坩堝的制備方法，所述坩堝側面隔熱、底部導熱，所述方法包括：
a）將石英粉末制備成可流動的A漿體；
b）將熱導率高于所述石英粉末的導熱相制備成可流動的B漿體；
c）在坩堝底部成型階段，將所述A漿體和B漿體混合注漿成型；
d）在坩堝底部坯體部分注漿完畢后，逐步提高A漿體的比例，直至B漿體的流量減為零；
e）以A漿體注漿成型剩余高度的坩堝側面。
2.如權利要求1所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，所述導熱相為碳化硅粉末。
3.如權利要求1所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，所述導熱相的熱導率大于10W/mK。
4.如權利要求1所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，所述A漿體和所述B漿體的固相含量相同。
5.如權利要求2所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，所述石英粉末純度>99.9%，所述碳化硅粉末的純度>99.9%。
6.如權利要求1所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，所述步驟c）中，所述A漿體和B漿體的流速比為3:1~20:1。
7.如權利要求1所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，所述步驟d）中，在坩堝底部上側20%高度位置處，B漿體的流量減為零。
8.如權利要求1所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，還包括步驟：陳化、脫模、燒結坩堝坯體。
9.如權利要求8所述的梯度坩堝的制備方法，其特征在于，燒結溫度為1150℃~1300℃，燒結時間為5h~30h。
10.一種梯度坩堝，其特征在于，使用如權利要求1－9中任一項所述的方法制備而得。
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