[發(fā)明專利]晶圓分離和清潔裝置及其使用方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210190020.0
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103137524A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 邱文智;林俞良;涂宏榮
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種晶圓分離和清潔裝置，包括：

自動晶圓處理模塊；

晶圓分離模塊，被配置成分離半導體晶圓與載具晶圓；以及

晶圓清潔模塊，被配置成清潔所述半導體晶圓的表面，其中

所述自動晶圓處理模塊被配置成將所述半導體晶圓傳送/運送到所述晶圓分離模塊和所述晶圓清潔模塊中的每一個或傳送/運送來自所述晶圓分離模塊和所述晶圓清潔模塊中的每一個的所述半導體晶圓。

2.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，其中，所述自動晶圓處理模塊包括：

機械臂，被配置成支撐所述半導體晶圓而沒有使用膜框。

3.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，其中，所述晶圓分離模塊包括：紫外光源、激光光源、或熱源中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，其中，所述半導體晶圓的厚度范圍為大約350μm至大約1500μm。

5.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，其中，所述晶圓清潔模塊包括噴嘴，所述噴嘴被配置成將清潔液噴灑到所述半導體晶圓的表面上方，其中

所述清潔液包括混合物，所述混合物包括：去離子水、四甲基氫氧化銨(TMAH)、氫氧化鉀(KOH)、甲基吡咯烷酮(NMP)、異丙醇(IPA)、乙醇、丙酮、過氧化氫(H₂O₂)和二甲基亞砜(DMSO)中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，進一步包括：第二晶圓清潔模塊，所述第二晶圓清潔模塊被配置成清潔半導體襯底的表面。

7.根據權利要求6所述的晶圓分離和清潔裝置，進一步包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)被配置成確定是所述清潔模塊還是所述第二清潔模塊可用于容納晶圓組件。

8.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，進一步包括多個可移動存儲單元。

9.根據權利要求1所述的晶圓分離和清潔裝置，進一步包括掃描器，所述掃描器被配置成掃描與所述半導體晶圓相關聯(lián)的條形碼。

10.一種分離晶圓和清潔晶圓的方法，包括：

使用晶圓分離模塊將半導體晶圓與載具晶圓分離；

使用晶圓清潔模塊清潔所述半導體晶圓的表面；以及

使用自動晶圓處理模塊將所述半導體晶圓傳送到所述晶圓分離模塊和所述晶圓清潔模塊或傳送來自所述晶圓分離模塊和所述晶圓清潔模塊的所述半導體晶圓。