[發明專利]單面三維線路芯片倒裝先封后蝕制造方法及其封裝結構

有效

• 申請號: 201210190013.0
• 申請日: 2012-06-09
• 公開（公告）號: CN102760668A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/00;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單面三維線路芯片倒裝先封后蝕制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：?

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，

步驟三、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在步驟二完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟三完成貼膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

將步驟四金屬基板正面已完成開窗的圖形區域電鍍上惰性金屬線路層，?

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上金屬線路層，?

步驟七、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在步驟六完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟八、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟七完成貼膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟九、電鍍金屬線路層

將步驟八金屬基板正面已完成開窗的圖形區域電鍍上金屬線路層，?

步驟十、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟十一、包封

將步驟九完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面進行包封塑封料作業，?

步驟十二、貼光阻膜作業

利用貼膜設備在步驟十一完成包封塑封料的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟十三、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟十二完成貼膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟十四、金屬化前處理

將步驟十三金屬基板正面已完成開窗的圖形區域進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理，?

步驟十五、電鍍金屬線路層

將步驟十四金屬基板正面完成電鍍金屬線路層前處理的區域電鍍上金屬線路層，所述金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面相對形成引腳或基島和引腳的上部，?

步驟十六、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟十七、裝片及芯片底部填充

在步驟十五相對形成的引腳或基島和引腳的上部正面倒裝上芯片及芯片底部填充環氧樹脂；

步驟十八、包封

將步驟十七完成芯片倒裝及芯片底部填充后的金屬基板正面進行包封塑封料作業，

步驟十九、貼光阻膜作業

利用貼膜設備在步驟十八完成包封塑封料的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，

步驟二十、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟十九完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板背面后續需要進行化學蝕刻的圖形區域，

步驟二十一、化學蝕刻

將步驟二十中金屬基板背面完成開窗的圖形區域進行化學蝕刻，

步驟二十二、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，

步驟二十三、電鍍金屬線路層

在步驟二十一完成化學蝕刻后露出的惰性金屬線路層表面進行金屬線路層的電鍍，金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板背面相對形成引腳或基島和引腳的下部，?

步驟二十四、包封

將步驟二十三完成電鍍金屬線路層的金屬基板背面進行塑封料的包封作業，

步驟二十五、塑封料表面開孔

在步驟二十四金屬基板背面包封塑封料的表面進行后續要植金屬球區域的開孔作業，?

步驟二十六、清洗

對步驟二十五金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗，

步驟二十七、植球

在步驟二十六經過清洗的小孔內植入金屬球，金屬球與引腳的背面相接觸，?

步驟二十八、切割成品

將步驟二十七完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單面三維線路芯片倒裝先封后蝕封裝結構成品。