[發(fā)明專利]芯片倒裝單面三維線路先封后蝕制造方法及其封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210190011.1 | 申請日: | 2012-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN102723288A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王新潮;李維平;梁志忠 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 倒裝 單面 三維 線路 先封后蝕 制造 方法 及其 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片倒裝單面三維線路先封后蝕制造方法及其封裝結(jié)構(gòu),屬于半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示:
步驟一、參見圖53,取一玻璃纖維材料制成的基板,
步驟二、參見圖54,在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔,
步驟三、參見圖55,在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔,
步驟四、參見圖56,在玻璃纖維基板打孔的位置填入導電物質(zhì),
步驟五、參見圖57,在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔,
步驟六、參見圖58,在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜,
步驟七、參見圖59,將光阻膜在需要的位置進行曝光顯影開窗,
步驟八、參見圖60,將完成開窗的部分進行蝕刻,
步驟九、參見圖61,將基板表面的光阻膜剝除,
步驟十、參見圖62,在銅箔線路層的表面進行防焊漆(俗稱綠漆)的披覆,
步驟十一、參見圖63,在防焊漆需要進行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進行開窗,
步驟十二、參見圖64,在步驟十一進行開窗的區(qū)域進行電鍍,相對形成基島和引腳,
步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。
上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷:
1、多了一層的玻璃纖維材料,同樣的也多了一層玻璃纖維的成本;
2、因為必須要用到玻璃纖維,所以就多了一層玻璃纖維厚度約100~150μm的厚度空間;
3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì),所以容易因為放置的時間與環(huán)境吸入水分以及濕氣,直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性的等級;
4、玻璃纖維表面被覆了一層約50~100μm的銅箔金屬層厚度,而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因為蝕刻因子的特性只能做到50~100μm的蝕刻間隙(參見圖65,最好的制作能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度),所以無法真正的做到高密度線路的設(shè)計與制造;
5、因為必須要使用到銅箔金屬層,而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式,所以銅箔的厚度很難低于50μm的厚度,否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等;
6、也因為整個基板材料是采用玻璃纖維材料,所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度100~150μm,無法真正的做到超薄的封裝;
7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因為材質(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù)),在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應力變形,直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足,提供一種芯片倒裝單面三維線路先封后蝕制造方法及其封裝結(jié)構(gòu),其工藝簡單,不需使用玻璃纖維層,減少了制造成本,提高了封裝體的安全性和可靠性,減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染,而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法,能夠真正做到高密度線路的設(shè)計和制造。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:一種芯片倒裝單面三維線路先封后蝕制造方法,它包括以下工藝步驟:?
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預鍍銅材
在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜,?
步驟三、綠漆披覆
在步驟二完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進行綠漆的被覆,?
步驟四、金屬基板正面去除部分綠漆
利用曝光顯影設(shè)備在步驟三完成綠漆披覆的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行電鍍的圖形區(qū)域;
步驟五、電鍍惰性金屬線路層
將步驟四金屬基板正面已完成開窗的圖形區(qū)域電鍍上惰性金屬線路層,?
步驟六、電鍍金屬線路層
在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上金屬線路層,?
步驟七、綠漆披覆
在步驟六完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面再次進行綠漆的被覆,?
步驟八、金屬基板正面去除部分綠漆
利用曝光顯影設(shè)備在步驟七完成綠漆披覆的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行電鍍的圖形區(qū)域,
步驟九、電鍍金屬線路層
將步驟八金屬基板正面已完成開窗的圖形區(qū)域電鍍上金屬線路層,?
步驟十、綠漆披覆
在步驟九完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面再次進行綠漆的被覆,?
步驟十一、金屬基板正面去除部分綠漆
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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