[發明專利]雙面三維線路芯片倒裝先封后蝕制造方法及其封裝結構

有效

• 申請號: 201210189938.3
• 申請日: 2012-06-09
• 公開（公告）號: CN102856212A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種雙面三維線路芯片倒裝先封后蝕制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：?

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，?

步驟三、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在步驟二完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，

步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟三完成貼膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

將步驟四金屬基板正面已完成開窗的圖形區域電鍍上惰性金屬線路層，?

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上金屬線路層，?

步驟七、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟八、包封

將步驟六完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面進行包封塑封料作業，?

步驟九、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在步驟八完成包封的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟十、塑封料表面開孔

在步驟九完成貼膜作業后的金屬基板正面包封塑封料的表面進行后續電鍍區域的開孔作業，

步驟十一、電鍍金屬線路層

將步驟十金屬基板正面包封塑封料表面已完成開孔的區域電鍍上金屬線路層，?

步驟十二、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，去除方法采用化學藥水軟化并采用高壓水噴除的方式，

步驟十三、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟十四、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟十三完成貼膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟十五、金屬化前處理

將步驟十四金屬基板正面已完成開窗的圖形區域進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理，?

步驟十六、電鍍金屬線路層

將步驟十五金屬基板正面完成電鍍金屬線路層前處理的區域電鍍上金屬線路層，所述金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面相對形成引腳或基島和引腳的上部，?

步驟十七、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟十八、裝片及芯片底部填充

在步驟十六相對形成的引腳或基島和引腳的上部正面倒裝上芯片及芯片底部填充環氧樹脂，

步驟十九、包封

將步驟十八完成金屬線鍵合后的金屬基板正面進行包封塑封料作業，?

步驟二十、貼光阻膜作業

利用貼膜設備在步驟十九完成包封塑封料的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，?

步驟二十一、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟二十完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板背面后續需要進行化學蝕刻的圖形區域，

步驟二十二、化學蝕刻

將步驟二十一中金屬基板背面完成開窗的圖形區域進行化學蝕刻，?

步驟二十三、電鍍金屬線路層

在步驟二十二完成化學蝕刻后露出的惰性金屬線路層表面進行金屬線路層的電鍍，?

步驟二十四、包封

將步驟二十三完成電鍍金屬線路層的金屬基板背面進行塑封料的包封作業，?

步驟二十五、塑封料表面開孔

在步驟二十四金屬基板背面包封塑封料的表面進行后續電鍍區域的開孔作業，?

步驟二十六、塑封料表面挖溝槽

在步驟二十四金屬基板背面包封塑封料得表面進行后續電鍍區域的挖溝槽作業，

步驟二十七、電鍍金屬線路層

將步驟二十五金屬基板背面包封塑封料表面已完成開孔的區域電鍍上金屬線路層，?

步驟二十八、覆上線路網板

在金屬基板背面覆上線路網板，?

步驟二十九、金屬化前處理

對步驟二十八金屬基板背面線路網板未覆蓋區域進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理，?

步驟三十、移除線路網板

將步驟二十八中金屬基板正面覆上的線路網板移除，

步驟三十一、電鍍金屬線路層

將步驟二十九金屬基板背面完成電鍍金屬線路層前處理的區域電鍍上金屬線路層，所述金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板背面相對形成引腳或基島和引腳的下部，?

步驟三十二、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟三十三、包封

將金屬基板背面進行包封塑封料作業，?

步驟三十四、塑封料表面開孔

在步驟三十三金屬基板背面包封塑封料的表面進行后續植金屬球區域的開孔作業，

步驟三十五、清洗

對步驟三十四金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗，

步驟三十六、植球

在步驟三十五經過清洗的小孔內植入金屬球，?

步驟三十八、切割成品

將步驟三十六完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得雙面三維線路芯片倒裝先封后蝕封裝結構成品。