[發明專利]一種擴展的位線選通裝置

有效

• 申請號: 201210189806.0
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103489469A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 陳巍巍;陳嵐;龍爽;楊詩洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及存儲器領域，特別是涉及存儲陣列的擴展的位線選通裝置。

背景技術

隨著高密度存儲陣列需求的增加，虛地結構存儲陣列被越來越廣泛的應用于存儲裝置中。虛地結構存儲陣列參見圖1，存儲陣列10的存儲單元cell00、cell01......cellMN以M行N列的形式排列成一個陣列，每個存儲單元包括多個連接端口，其中一個連接端口作為控制端口與字線選通裝置連接，兩個連接端口分別連接一條位線，位線與位線選通裝置11相連，每列存儲單元的位線連接端口與相鄰列的存儲單元共享同一條位線，圖1中存儲單元cell00所在列存儲單元的位線連接端口與存儲單元cell01所在列存儲單元的位線連接端口共享同一條位線B1。字線選通裝置和位線選通裝置是對存儲陣列進行讀取和測試操作的重要裝置，其中，字線選通裝置用于開啟存儲單元，位線選通裝置用于對存儲單元的位線施加讀取、編程等操作信號。

位線選通裝置中包括多個選通管，通過變化施加于位線選通裝置的選通控制信號選通不同的選通管。在對存儲陣列中的存儲單元進行操作時，施加操作信號的裝置通過位線選通裝置中被選通的選通管與存儲單元的位線連接。選通管可以采用場效應晶體管，圖1中控制信號施加端P0、P1、P2......PN+1連接場效應晶體管M0、M1、M2......MN+1，如果控制信號施加端接收到由譯碼器產生的位線選通控制信號A0、A1、A2......，便開啟其相連接的場效應晶體管，從而實現對位線的選通，并使電平信號從操作信號的裝置傳遞至被選通的位線。以讀取cell00為例說明選通裝置的讀取操作過程，位線選通控制信號A0選通位線B0，位線選通控制信號A1選通位線B1，而字線選通裝置選通字線Z0。通過對選通的位線B0和B1分別施加低電平提供裝置和提供預先定義的電位的裝置提供的電位操作信號，獲得讀取電流Ibit，實現對cell00的讀取操作。

目前，常用的位線選通裝置如圖2所示，包括十二個選通控制信號施加端(C01至C12)和至少一個選通模塊，其中，所述選通模塊包括八個三管單元(N1至N8，圖2中虛線框所示)和四個操作信號施加端(E1至E4)，每個三管單元中包括三個選通管，每個選通管包括三個連接端口：控制信號連接端口、位線連接端口和操作信號連接端口，控制信號連接端口施加信號時位線連接端口和操作信號連接端口導通。以三管單元N1和N3與操作信號施加端E1以及控制信號連接端口的連接方式為例，說明圖2所示位線選通裝置的具體連接方式：

以三管單元N1為例，從左至右包括三個選通管：第一選通管R1、第二選通管R2和第三選通管R3，三個選通管的操作信號連接端口都連接在操作信號施加端E1，其中，第一選通管R1的控制信號連接端口連接控制信號施加端C06，位線連接端口連接奇數位線BL1；第二選通管R2的控制信號連接端口連接控制信號施加端C05，位線連接端口連接奇數位線BL3；第三選通管R3的控制信號連接端口連接控制信號施加端C04，位線連接端口連接奇數位線BL5。

三管單元N3的三個選通管的操作信號連接端口都連接在操作信號施加端E1，其中，第一選通管的控制信號連接端口連接控制信號施加端C03，位線連接端口連接奇數位線BL5；第二選通管的控制信號連接端口連接控制信號施加端C02，位線連接端口連接奇數位線BL7；第三選通管的控制信號連接端口連接控制信號施加端C01，位線連接端口連接奇數位線BL9。

其他三管單元與操作信號施加端E1以及控制信號連接端口的連接方式類似。以對位線BL3和BL4之間的存儲單元進行讀取寫入等操作為例，采用圖2所示的位線選通裝置進行位線選通時，在控制信號連接端口C05和C08分別施加譯碼器產生的選通控制信號，開啟三管單元N1的第二選通管R2、三管單元N2的第二選通管、三管單元N5的第二選通管和三管單元N6的第二選通管，將操作信號連接端口E1至E4施加的操作信號分別傳遞至位線BL3、BL4、BL5和BL6。下一周期時在控制信號連接端口C03和C08施加選通控制信號，實現對位線BL4和BL5之間存儲單元的操作。該位線選通裝置可以采用兩個位線選通控制信號同時選通連續的12條位線中的任意4條連續位線，提高選通控制信號的選通效率的同時，在操作信號連接端口施加合適的操作信號，可以消除位線BL4和BL5、BL6之間的電勢差，避免在讀取位線BL3和BL4之間的存儲單元時相鄰存儲單元上產生泄露電流，提高讀取精度。

但是，圖2所示的位線選通裝置只能實現位線BL1至BL12之間任意四條連續位線的選通，對于更多條連續位線的選通，現有技術并未有披露。

發明內容