[發明專利]硅片處理過程中產生的廢硅料的清洗方法

有效

• 申請號: 201210189738.8
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN102694074A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 馮文宏;劉俊飛
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

技術領域

本發明涉及太陽能電池加工技術領域，具體而言，涉及一種硅片處理過程中產生的廢硅料的清洗方法。

背景技術

在生產太陽能單晶多晶硅片過程中，都會產生多余的頭尾邊皮和切割后的殘余。其表面在加工過程中殘留了切割液、金屬離子、和附帶硅膠等雜質。若想重復使用這些硅料，必須做清潔處理。

目前，光伏行業常用的清潔處理方法是人工噴砂打磨法，即操作工人操作噴砂機床用機械方式清除可見雜質。這種清潔方法對于嵌入較深的碳化硅不易處理，切損耗大，若硅塊表面粘有較多的雜質，打磨起來不僅費時費力，還會造成大量的硅料損失。簡言之，現有技術的清潔方法存在如下缺點：1、方法簡單、笨拙，不能起到質量控制作用；2、勞動強度大，工作效率低；3、不易清除肉眼難以看到的雜質，特別是表面各類金屬；4、硅料損失多，成本高。

發明內容

本發明旨在提供一種硅片處理過程中產生的廢硅料的清洗方法，以解決現有技術中對廢硅料的清洗不徹底，且工作效率低的而技術問題。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種硅片處理過程中產生的廢硅料的清洗方法。該方法包括以下步驟：1）將待清洗的廢硅料放入混合酸液中浸泡，然后用純水漂洗；2）將經過混合酸液浸泡的廢硅料放入堿液中浸泡，然后用純水漂洗；3）將廢硅料放入鹽酸溶液中浸泡，然后用純水漂洗、烘干，其中，混合酸液是電池制備過程產生的廢棄酸液。

進一步地，混合酸液中酸的質量百分含量為5%~10%。

進一步地，步驟1）中浸泡的時間為10~15分鐘，浸泡溫度為室溫。

進一步地，步驟1）和/或步驟2）中用純水漂洗的步驟包括：將廢硅料放入電導率為14~16兆的循環純水中用超聲波進行漂洗。

進一步地，在漂洗過程中盛放純水的容器勻速晃動。

進一步地，漂洗的時間為5-15分鐘。

進一步地，步驟2）的堿液為15wt%~25wt%的NaOH溶液。

進一步地，步驟2）中的浸泡的時間為5~10分鐘，浸泡溫度為80~90℃。

進一步地，步驟3）中的鹽酸為5wt%~15wt%的HCl溶液。

進一步地，步驟3）中浸泡的時間為5~10分鐘，浸泡溫度為室溫。

應用本發明的技術方案，將待清洗的廢硅料依次進行混合酸液浸泡、純水漂洗、堿液浸泡、純水漂洗、鹽酸溶液浸泡、純水漂洗、烘干的步驟，既能有效地徹底清除廢硅料表面及嵌入較深的雜質，又不會造成硅料損失，由于大多的雜質是通過酸蝕或堿蝕去除的，不需要人工打磨，所以工作效率提高。另外，混合酸液是電池制備過程中廢棄的酸液，不僅節約了成本，還為廢水處理、減排降耗做出了貢獻。

附圖說明

說明書附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1示出了根據本發明實施例的硅片處理過程中產生的廢硅料的清洗方法的流程圖。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發明。

本發明中“廢硅料”是指生產太陽能單晶、多晶硅片過程中產生的多余頭尾邊皮硅料及切割后的殘余硅料。

根據本發明一種典型的實施方式，提供一種硅片處理過程中產生的廢硅料的清洗方法。該包括以下步驟：1)將待清洗的廢硅料放入混合酸液中浸泡，然后用純水漂洗；2）將經過混合酸液中浸泡的廢硅料放入堿液中浸泡，然后用純水漂洗；3）將廢硅料放入鹽酸溶液中浸泡，然后用純水漂洗、烘干，其中，混合酸液是電池制備過程產生的廢棄酸液。應用本發明的技術方案，將廢硅料依次進行混合酸液浸泡、純水漂洗、堿液浸泡、純水漂洗、鹽酸溶液浸泡、純水漂洗、烘干的步驟，因為酸液或堿液可以很容易浸入到廢硅料中，相對于人工打磨，既能有效地徹底清除廢硅料表面及嵌入較深的雜質，又不會造成硅料損失，由于大多的雜質是通過酸蝕或堿蝕去除的，不需要人工打磨，所以工作效率提高。另外，電池制備過程產生的廢棄酸液在現有技術中通常污水處理后達標排放本發明中利用了電池制備過程中的廢棄酸液，不僅節約了成本，還為廢水處理、減排降耗做出了貢獻。