[發明專利]一種促進鈦酸鉀晶須生長的方法無效
| 申請號: | 201210189429.0 | 申請日: | 2012-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN102677143A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 商少明;孫芳;劉瑛;陳新;宋健 | 申請(專利權)人: | 江南大學 |
| 主分類號: | C30B1/10 | 分類號: | C30B1/10;C30B29/32 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214122 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 促進 鈦酸鉀晶 須生 方法 | ||
1.一種促進鈦酸鉀晶須生長的方法,其特征是方法采用了晶須生長促進劑及水,與主要原料充分混合;焙燒采用薄料層一次焙燒或較厚料層兩次焙燒的方式。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征是晶須生長促進劑是由一種相對熔點低或易揮發鉀鹽以及一種低燃點無機或有機物粉末組合而成。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法,其特征是相對熔點低或易揮發鉀鹽為氟化鉀、氯化鉀、氫氧化鉀、硝酸鉀,主要原料與易揮發鉀鹽按100∶3~9質量分數混合;低燃點無機或有機物粉末為活性炭、淀粉、草酸、羧甲基纖維素,主要原料與低燃點無機或有機物粉末按100∶5~10質量分數混合。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征是主要原料與水按100∶0.2~2質量分數混合。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征是薄料層是指焙燒時物料的堆積厚度為0.1~3cm;較厚料層是指焙燒時物料的堆積厚度為3~10cm。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征是一次焙燒方式低溫段溫度500~900℃,保溫時間1~5小時,高溫段溫度700~1000℃,保溫時間2~7小時。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征是兩次焙燒方式加熱溫區溫度700~1000℃,第一次焙燒保溫時間1~5小時,第二次焙燒保溫時間2~7小時。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征是焙燒采用的高溫爐為隧道爐或推板窯、或井式爐或立式燒結爐、或旋轉爐。
9.根據權利要求1或權利要求7所述的方法,其特征是兩次焙燒均采用隧道爐或推板窯,一次焙燒冷卻后,經破碎、粉碎過篩,再進行二次焙燒;或一次焙燒采用隧道爐或推板窯,出料冷卻后,經破碎、粉碎過篩,二次焙燒采用旋轉爐;或一次焙燒采用旋轉爐,二次焙燒采用隧道爐或推板窯。
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