[發明專利]一種鋁電解槽側墻用不燒SiC-C磚及方法

無效

• 申請號: 201210189415.9
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN102701765A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 田守信;林強;田云鵬;劉金朋
• 申請（專利權）人: 上海柯瑞冶金爐料有限公司;山東柯信新材料有限公司;陽谷信民耐火材料有限公司
• 主分類號: C04B35/66
• 分類號: C04B35/66;C04B35/622
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 潘振甦

1.一種鋁電解槽側墻用不燒SiC-C磚，其特征在于所述的SiC-C不燒磚以碳化硅、石墨和金屬硅粉為原料，外加碳素結合劑，具體質量百分組成為：

2.按權利要求1所述的不燒SiC-C磚，其特征在于：

a)所述的碳化硅為顆粒級配，顆粒級配的質量比例為;

5-3mm:3-1mm:200目碳化硅＝0-1:1.5-5.0:0-1；

b)所述的石墨為天然石墨、電極碳或它們的組合；

c)所述的硅粉粒度小于0.088mm；

d)所述碳素結合劑的粘度為1-20Pa·S，殘碳量大于30%。

3.按權利要求1或2所述的不燒SiC-C磚，其特征在于：

a)所述的碳化硅純度為90%以上；

b)所述的石墨純度為90%以上，粒度為≤0.6mm；

c)所述的硅粉純度為95%以上，Fe₂O₃含量<0.5%；

d)所述的碳素結合劑為酚醛樹脂、呋喃樹脂或改性瀝青樹脂。

4.按權利要求1或2所述的不燒SiC-C磚，其特征在于：

a)所述的碳化硅純度為97-98%以上；

b)所述的石墨純度>95%以上，粒度為≤0.15mm。

5.按權利要求3所述的不燒SiC-C磚，其特征在于：

a)所述的碳化硅純度為97-98%以上；

b)所述的石墨純度>95%以上，粒度為≤0.15mm。

6.按權利要求3所述的不燒SiC-C磚，其特征在于所述的碳素結合劑的殘碳量為42-45%。

7.制備如權利要求1或2所述的不燒SiC-C磚，其特征在于將SiC、石墨和硅粉及外加碳素結合劑按比例在混料機內混料，混料后再用壓磚機成型，成型后的磚坯經120-300℃低溫固化處理。

8.按權利要求7所述的方法，其特征在于：

a)所述的壓磚機為振動加壓成型機、摩擦壓磚機或液壓機；

b)所述的磚坯低溫固化溫度為180-200℃。

9.按權利要求7或8所述的方法，其特征在于低溫固化后磚坯的水份控制在小于0.3%以內。