[發明專利]一種大尺寸釩酸鉍單晶的制備方法有效
| 申請號： | 201210188943.2 | 申請日： | 2012-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN102677172A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 李國嶺;李立本;王丹丹;陳志紅;黃東;陳慶東 | 申請（專利權）人： | 河南科技大學 |
| 主分類號： | C30B29/30 | 分類號： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孫笑飛 |
| 地址： | 471000 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 尺寸 釩酸鉍單晶 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種大尺寸釩酸鉍單晶的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）、將純度為99.99%的Bi2O3和V2O5按1：1的摩爾比均勻混合，然后壓制成料塊；
（2）、將步驟（1）壓制的料塊裝入剛玉杯中，然后放置到馬弗爐內，在溫度為800?oC的條件下，恒溫燒結10小時；
（3）、將步驟（2）燒結后的原料裝入直徑150mm、高80mm、壁厚2.2mm的銥坩堝，然后放入單晶提拉爐中，在提拉爐內沖入N2氣氛，并保留適量空氣，使爐中氧分壓為1%；
（4）、以<100>方向的YVO4晶體作為籽晶；?
（5）、啟動單晶提拉爐，控制銥坩堝底部溫度為960—980?oC，生長晶體提拉速度為1?mm/h，轉速為8?rpm；
（6）、晶體停止生長后，關閉單晶提拉爐，放置24小時，使生長的晶體冷卻至室溫；
（7）、將生長的晶體取出，即獲得直徑100?mm以上，高度60?mm以上的BiVO4單晶。
2.如權利要求1所述的一種大尺寸釩酸鉍單晶的制備方法，其特征在于：所述的YVO4晶體的生長方向為<100>或<111>。
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