[發(fā)明專利]多弧離子鍍納米多元素復(fù)合膜的低溫沉積工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210188913.1
• 申請(qǐng)日: 2012-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102677003A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 李林
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32;C23C14/14
• 代理公司: 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

1.多弧離子鍍納米多元素復(fù)合膜的低溫沉積工藝，其特征在于：

由以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一：將工件除油清洗后烘干入爐，加熱烘烤50min，加熱溫度160℃；

步驟二：工件室抽真空至3×10^-3?pa；

步驟三：采用離子轟擊鍍混合層，通入氬氣0.1-0.2pa；

用鈦靶轟擊5min，靶電流60-65A；

用鉻靶轟擊2min，靶電流60-65A；

用鋁靶轟擊3min，靶電流60-65A；

三種金屬的偏壓均為1000V，占空比均為50%；

步驟四：鈦、鉻、鋁三種金屬靶全部打開(kāi)，鍍底層合金層，三種靶電流均在50A-60A，偏壓均為400V-500V，占空比均為60%-80%，時(shí)間均為20min；通入氬氣0.1pa，氮?dú)?.3pa，工件轉(zhuǎn)速為4轉(zhuǎn)/min；

步驟五：保持鈦、鉻、鋁三種金屬靶全開(kāi)，鍍上層合金層，三種金屬靶電流均為60A-80A，偏壓均為150V-350V，占空比均為25%-35%，時(shí)間均為30min；通入氬氣0.1pa，氮?dú)?.2pa，可燃烴類氣體0.3pa，工件轉(zhuǎn)速6轉(zhuǎn)/min；

步驟六：降低溫度至100℃以下，取出工件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多弧離子鍍納米多元素復(fù)合膜的低溫沉積工藝，其特征在于：

步驟五中，可燃烴類氣體選自甲烷、乙炔、丙烷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多弧離子鍍納米多元素復(fù)合膜的低溫沉積工藝，其特征在于：

由以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一：將工件除油清洗后烘干入爐，加熱烘烤60min，加熱溫度140-150℃；

步驟二：工件室抽真空至6.6×10^-3?pa；

步驟三：采用離子轟擊鍍混合層，通入氬氣0.2pa；

用鈦靶轟擊5min，靶電流60A；

用鉻靶轟擊5min，靶電流70A；

兩種金屬的偏壓均為1000V，占空比均為50-60%；

步驟四：鈦、鉻、鋁三種金屬靶全部打開(kāi)，鍍底層合金層，鈦靶靶電流65A，鉻靶靶電流70A，鋁靶靶電流50A，偏壓均為150V—200V，占空比均為60%-70%，時(shí)間均為25min；通入氬氣0.1pa，氮?dú)?.3pa，工件轉(zhuǎn)速為4轉(zhuǎn)/min；

步驟五：保持鈦、鉻、鋁三種金屬靶全開(kāi)，鍍上層合金層，鈦靶靶電流60A，鉻靶靶電流65A，鋁靶靶電流45-50A，偏壓均為200V-350V，占空比均為25%-35%，時(shí)間均為30min；通入氬氣0.1pa，氮?dú)?.2pa，可燃烴類氣體0.3pa，工件轉(zhuǎn)速6轉(zhuǎn)/min；

步驟六：降低溫度至100℃以下，取出工件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多弧離子鍍納米多元素復(fù)合膜的低溫沉積工藝，其特征在于：

步驟五中，可燃烴類氣體選自甲烷、乙炔、丙烷。