[發明專利]一種薄樣掠射X射線熒光光譜分析系統無效
| 申請號: | 201210188805.4 | 申請日: | 2012-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN102692426A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 董寧;劉攀超;戴煦;陳君;駱成 | 申請(專利權)人: | 深圳市華測檢測技術股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N23/223 | 分類號: | G01N23/223 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄樣掠射 射線 熒光 光譜分析 系統 | ||
技術領域
本發明涉及一種光譜分析系統,特別是一種X射線熒光光譜分析系統。
背景技術
X射線熒光(XRF)光譜分析技術是一種測定材料的元素組成的方法,它通過用X射線照射試樣并觀測分析試樣發出的二次熒光X射線來實現。
一般來說,XRF系統包括X射線源(X光管或放射性同位素)和用于檢測從試樣發出的二次X射線并確定其能量或波長的裝置。一定能量或波長的X射線的強度與試樣中的元素含量有關,通過計算機軟件來分析數據并確定含量。
傳統的XRF系統根據其X射線光譜分析方法而分為兩種,一種是能量色散(ED)系統,另一種是波長色散(WD)系統。在能量色散系統中,使用能量色散探測儀,例如固態探測儀或正比計數器,用來確定從試樣發出的光子的能量譜。在波長色散系統中,使用晶體或多層結構從試樣發出的X射線光子中選擇特定的波長。
這些傳統的XRF系統均采用高功率的X射線源對試樣進行直接照射,其缺點是,由于試樣基底的散射效應,使得出射的X熒光噪聲很大,影響了整個分析系統的分辨率。
因此,亟需一種能夠有效減少基底效應的X射線熒光光譜分析系統。
發明內容
本發明提供一種薄樣掠射X射線熒光光譜分析系統,該系統克服了現有技術的缺點,并提供了額外的優點。
本發明的技術方案是:一種薄樣掠射X射線熒光(XRF)光譜分析系統,其特征在于,該系統包括:至少一個X射線源,用于發射初次X射線;布置在X射線源和試樣之間的束調節單元,該束調節單元將X射線源發出的初次X射線濾波為單色光,并整形成條狀;用于放置試樣的樣品載體,樣品載體是光學平坦的,樣品載體處于束調節單元出射的X射線的光路上,樣品載體的平面與X射線的夾角為一掠射角;至少一個X射線探測器,布置在樣品載體的法線方向,接收由試樣產生的熒光X射線;以及控制單元和記錄單元。
所述束調節單元包括濾波器、狹縫、單色器和光欄。
所述濾波器為石英玻璃,所述單色器為天然晶體。
所述樣品載體用作試樣的襯底,樣品載體對試樣為光疏介質。
所述樣品載體的材料為金或鉑。
所述掠射角大于試樣的全反射臨界角,小于樣品載體的全反射臨界角。
所述樣品載體在1mm2的面積內粗糙度小于5nm。
所述試樣是薄樣,厚度小于100nm。
所述試樣為多層薄樣。
所述探測器為高純鍺探測器。
與現有技術相比,本發明所提供的XRF光譜分析系統使用單色條狀X射線束,以掠射的方式照射的試樣上,穿透試樣進入樣品載體的X射線非常少,可以有效的減少基底效應。如采用對試樣為光疏介質的樣品載體,采用介于試樣和樣品載體的全反射臨界角之間的掠射角,則進入樣品載體的X射線進一步減少,反射出的X射線也可以被控制,X射線集中作用與試樣上,使得整個系統的噪聲被降低,分辨率提高。
附圖說明
圖1為本發明薄樣掠射X射線熒光光譜分析系統的結構原理圖。
圖2為本發明薄樣掠射X射線熒光光譜分析系統的試樣附件的光路示意圖。
具體實施例
現在參考附圖描述本發明的實施例。
如圖1所示,本發明提供的一種薄樣掠射X射線熒光(XRF)光譜分析系統包括:?X射線源1,用于發射初次X射線;布置在X射線源和試樣之間的束調節單元,束調節單元包括濾波器2、狹縫3、單色器4和光欄9,束調節單元將X射線源發出的初次X射線濾波為單色光,并整形成條狀;樣品載體8,樣品載體是光學平坦的,試樣7放置在樣品載體8上;由X射線源1發出的X射線通過束調節單元后,以掠射角α照射到試樣上;試樣產生的熒光X射線,由布置在樣品載體的法線方向X射線探測器5接收。圖中,6為參考平面。
如圖2所示,以掠射角α照射到試樣上的X射線,一部分被試樣直接反射,另一部分穿透進入試樣被樣品載體反射,當α很小的時候,穿透進入樣品載體的X射線很少,因此,形成如圖2所示的射線分布,區域Ⅰ和區域Ⅱ為駐波場,其中區域Ⅱ的駐波場作用于試樣,使試樣中的各種元素發射X熒光;區域Ⅲ為干涉波,其強度可以通過改變α進一步調節。
為使系統取得更好的分析效果,可以采用對試樣7為光疏介質的材料(如金或鉑)制作樣品載體8,并保證樣品載體在1mm2的面積內粗糙度小于5nm,以及采用介于試樣和樣品載體的全反射臨界角之間的掠射角α。
本發明提供的XRF光譜分析系統最適合分析厚度小于100nm的薄樣或多層薄樣,對于厚樣或形狀不規則樣品的效果略差。因此需要較為精細的前處理過程。
以上所揭露的僅為本發明的優選實施例而已,不能以此來限定本發明之權利范圍,依本發明申請專利范圍所作的等同變化,仍屬本發明所涵蓋的范圍。
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