[發(fā)明專利]復(fù)合型電容

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210188751.1
• 申請(qǐng)日: 2007-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN102693975A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明林;蔡麗端;劉淑芬;吳邦豪;鄭丞良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L27/00
• 分類號(hào): H01L27/00;H01L27/01;H01L29/92
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種復(fù)合型電容，包括：

基板，該基板具有多個(gè)貫通孔；

至少一平行板電容，位于該基板上；以及

至少一貫通孔電容，位于至少一貫通孔中并與該平行板電容并聯(lián)，該貫通孔電容至少包括：

正極層，至少位于該貫通孔的內(nèi)表面，其中該正極層至少于貫通孔的內(nèi)表面為一多孔結(jié)構(gòu)；

第一介電層，至少位于該正極層的該多孔結(jié)構(gòu)上；

第一負(fù)極層，覆蓋于該第一介電層的表面；以及

第二負(fù)極層，覆蓋于該第一負(fù)極層的表面，且

該平行板電容至少包括：

第一導(dǎo)體層，且該第一導(dǎo)體層與該貫通孔電容的該正極層電性連接至該基板的一面；

第二導(dǎo)體層，位于該第一導(dǎo)體層上，且該第二導(dǎo)體層與該貫通孔電容的該第二負(fù)極層電性連接至該基板的另一面，使該平行板電容與該貫通孔電容的單極拉出在該基板的表面；以及

第二介電層，位于該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該正極層的材料包括鋁、鉭、鈮或一氧化鈮。

3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該第一介電層包括延伸至該貫通孔以外的該基板表面。

4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該第一負(fù)極層的材料包括有機(jī)半導(dǎo)體、無機(jī)半導(dǎo)體或有機(jī)-無機(jī)混合導(dǎo)電材料。

5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合型電容，其中該無機(jī)半導(dǎo)體包括二氧化錳。

6.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合型電容，其中該有機(jī)半導(dǎo)體包括電荷轉(zhuǎn)移錯(cuò)鹽或?qū)щ姼叻肿印?!-- SIPO -->

7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合型電容，其中該導(dǎo)電高分子包括聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺。

8.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合型電容，其中該第一負(fù)極層的材料包括單一導(dǎo)電高分子材料或混合的兩種導(dǎo)電高分子材料。

9.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該第一負(fù)極層包括多層結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該第二負(fù)極層包括含碳與金屬的復(fù)合層。

11.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合型電容，其中該復(fù)合層中的金屬包括銀、銅、金或鎳。

12.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該第二負(fù)極層包括純金屬層。

13.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該貫通孔電容的該第二負(fù)極層包括填滿該貫通孔。

14.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該基板包括硅基板、有機(jī)基板或絕緣基板。

15.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該基板中的該貫通孔呈陣列排列。

16.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該平行板電容的該第二介電層的介電系數(shù)為1~2000。

17.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該平行板電容的該第二介電層的厚度為0.1μm~10μm。

18.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該平行板電容的該第二介電層的材料是自鋯鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、鈦酸鋇、含有Pb、Nb、W、Ca、Mg和Zn其中至少一種元素的鈦酸鋇、鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛、多晶鑭改性鋯鈦酸鉛、鈮酸鉛及其衍生物、以及鎢酸鉛及其衍生物所組成的族群中選擇的一種材料。

19.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該第一導(dǎo)體層或該第二導(dǎo)體層和該正極層為相同的導(dǎo)電材料。

20.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該第一導(dǎo)體層或該第二導(dǎo)體層和該第二負(fù)極層的金屬為相同的導(dǎo)電材料。

21.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該基板包括金屬基板。

22.如權(quán)利要求21所述的復(fù)合型電容，其中該金屬基板的一部分作為該平行板電容的該第一導(dǎo)體層。

23.如權(quán)利要求21所述的復(fù)合型電容，其中該金屬基板的一部分作為該貫通孔電容的該正極層。

24.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合型電容，其中該平行板電容的形狀包括六角形、圓形、方形或環(huán)形。