[發明專利]雙面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法及其封裝結構有效
| 申請號: | 201210188440.5 | 申請日: | 2012-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN102723291A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 王新潮;梁志忠;李維平 | 申請(專利權)人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/00;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 三維 線路 芯片 倒裝 先蝕后封 制造 方法 及其 封裝 結構 | ||
1.一種雙面三維線路芯片倒裝先蝕后封制造方法,所述方法包括以下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預鍍銅
在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜;
步驟三、貼光阻膜作業
在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設備將步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜;
步驟五、電鍍惰性金屬線路層
在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上惰性金屬線路層;
步驟六、電鍍金屬線路層
在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層;
步驟七、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟八、包封
將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封;
步驟九、貼光阻膜作業
在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟十、塑封料表面開孔
在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行開孔作業;
步驟十一、電鍍導電金屬
在金屬基板背面完成開孔的區域電鍍一層導電金屬;
步驟十二、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十三、包封
將步驟十二中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封;
步驟十四、貼光阻膜作業
在步驟十三的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟十五、挖溝槽
在金屬基板背面的塑封料表面進行后續電路線的挖溝槽動作;
步驟十六、金屬化前處理
在金屬基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理;
步驟十七、電鍍金屬線路層
在步驟十六中的金屬基板背面鍍上多層或是單層金屬線路層;
步驟十八、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十九、包封
將步驟十八中的金屬基板背面再塑封一層塑封料;
步驟二十、貼光阻膜作業
在金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟二十一、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設備將步驟二十完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜;
步驟二十二、化學蝕刻
將步驟二十一中完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻;?
步驟二十三、電鍍金屬線路層
在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層;
步驟二十四、包封
將步驟二十三中的金屬基板正面塑封一層塑封料;
步驟二十五、塑封料表面開孔
在金屬基板正面預包封塑封料的表面進行開孔作業;
步驟二十六、電鍍導電金屬
在金屬基板正面完成開孔的區域電鍍一層導電金屬;
步驟二十七、包封
將步驟二十六中的金屬基板正面再塑封一層塑封料;
步驟二十八、挖溝槽
在金屬基板正面的塑封料表面進行后續電路線的挖溝槽動作;
步驟二十九、覆上線路網板
在金屬基板正面不必金屬化的區域覆上線路網;
步驟三十、金屬化前處理
在金屬基板正面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理;
步驟三十一、移除線路網板
將步驟二十九的線路網板移除;
步驟三十二、電鍍金屬線路層
在金屬基板的正面鍍上單層或是多層的金屬線路層,金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應的引腳或基島和引腳;
步驟三十三、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟三十四、裝片及芯片底部填充
在步驟三十二的引腳正面或基島正面和引腳正面倒裝芯片及芯片底部填充環氧樹脂;
步驟三十五、包封
將完成裝片后的金屬基板正面進行塑封料包封工序;
步驟三十六、塑封料表面開孔
在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行后續要植金屬球的區域進行開孔作業;
步驟三十七、清洗
在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質、有機物質的清洗;?
步驟三十八、植球
在金屬基板背面塑封體開孔處內植入金屬球;
步驟三十九、切割成品
將步驟三十八完成植球的半成品進行切割作業,使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來,制得單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構,可采用常規的鉆石刀片以及常規的切割設備即可。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





