[發(fā)明專利]旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶及相應(yīng)的磁控濺射裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210187715.3 | 申請日: | 2012-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN102719799A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 寇浩 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 歐陽啟明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 旋轉(zhuǎn) 磁控濺射 相應(yīng) 裝置 | ||
1.一種旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,包括:
圓柱形靶材,其內(nèi)部包括一容納空間;
極靴,設(shè)置于所述容納空間內(nèi);
磁控管,沿所述圓柱形靶材的軸向鑲嵌于所述極靴的外表面,包括設(shè)置在所述磁控管中部的第一磁極以及設(shè)置在所述磁控管兩側(cè)的第二磁極,所述第一磁極和第二磁極的極性相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,所述第二磁極的磁強大于所述第一磁極的磁強。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,相鄰的所述磁控管的所述第二磁極的極性相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,所述極靴為圓柱體或正棱柱體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,所述極靴與所述圓柱形靶材同軸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶包括至少四個所述磁控管,所述磁控管均勻的鑲嵌于所述極靴的整個外表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶包括六個所述磁控管,所述磁控管均勻的鑲嵌于所述極靴的整個外表面。
8.一種磁控濺射裝置,其特征在于,包括:
屏蔽罩,包括一濺射口;
基板,設(shè)置在所述濺射口,用于沉積鍍膜材料;以及
旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,設(shè)置在所述屏蔽罩與所述基板構(gòu)成的腔體內(nèi),包括:
圓柱形靶材,其內(nèi)部包括一容納空間;
極靴,設(shè)置于所述容納空間內(nèi);
磁控管,沿所述圓柱形靶材的軸向鑲嵌于所述極靴的外表面,包括設(shè)置在所述磁控管中部的第一磁極以及設(shè)置在所述磁控管兩側(cè)的第二磁極,所述第一磁極和第二磁極的極性相反。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述第二磁極的磁強大于所述第一磁極的磁強,相鄰的所述磁控管的所述第二磁極的極性相反。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶包括六個所述磁控管,所述磁控管均勻的鑲嵌于所述極靴的整個外表面。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





