[發明專利]一種動態電荷平衡的超結VDMOS器件

無效

• 申請號: 201210187444.1
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN102810567A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 任敏;趙起越;鄧光敏;李巍;張蒙;張靈霞;李澤宏;張金平;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種動態電荷平衡的超結VDMOS器件，包括N⁺襯底（2）、位于N⁺襯底（2）背面的金屬化漏極電極（1）、位于N⁺襯底（2）正面的超結結構；所述超結結構由N^-外延區（3）和P型柱區（4）相間形成；超結結構頂部兩側分別具有一個P型基區（6），所述P型基區（6）分別與N^-外延區（3）和P型柱區（4）相接觸；每個P型基區（6）中具有一個N⁺源區（7）和一個P⁺體區（8），N⁺源區（7）和P⁺體區（8）二者與金屬化源極電極（12）相接觸；柵氧化層（9）覆蓋于兩個P型基區（6）和它們之間的N^-外延區（3）的表面，柵氧化層（9）上表面是多晶硅柵電極（10），多晶硅柵電極（10）與金屬化源極電極（12）之間是場氧化層（11）；其特征在于，所述N^-外延區（3）中摻入了深能級施主雜質（5）。

2.根據權利要求1所述的動態電荷平衡的超結VDMOS器件，其特征在于，所述深能級施主雜質（5）的能級至少位于導帶底以下0.15eV。

3.根據權利要求2所述的動態電荷平衡的超結VDMOS器件，其特征在于，所述深能級施主雜質（5）為S、Se或Te。

4.一種動態電荷平衡的超結VDMOS器件，包括P⁺襯底（2）、位于P⁺襯底（2）背面的金屬化漏極電極（1）、位于P⁺襯底（2）正面的超結結構；所述超結結構由P^-外延區（3）和N型柱區（4）相間形成；超結結構頂部兩側分別具有一個N型基區（6），所述N型基區（6）分別與P^-外延區（3）和N型柱區（4）相接觸；每個N型基區（6）中具有一個P⁺源區（7）和一個N⁺體區（8），P⁺源區（7）和N⁺體區（8）二者與金屬化源極電極（12）相接觸；柵氧化層（9）覆蓋于兩個N型基區（6）和它們之間的P^-外延區（3）的表面，柵氧化層（9）上表面是多晶硅柵電極（10），多晶硅柵電極（10）與金屬化源極電極（12）之間是場氧化層（11）；其特征在于，所述P^-外延區（3）中摻入了深能級受主雜質（5）。

5.根據權利要求4所述的動態電荷平衡的超結VDMOS器件，其特征在于，所述深能級受主雜質（5）的能級至少位于價帶底以上0.15eV。

6.根據權利要求5所述的動態電荷平衡的超結VDMOS器件，其特征在于，所述深能級受主雜質（5）為In、Ti或Zn。