[發明專利]用于多芯片器件的熱增強結構

有效

• 申請號: 201210187435.2
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN102983109A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 余振華;董志航;邵棟梁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種結構，包括：

散熱器模塊，具有與第一半導體管芯相接合的第一表面；

所述第一半導體管芯，與第二半導體管芯相連接；

封裝材料層，位于所述半導體管芯和所述第二半導體管芯中的至少一個上；

再分配層，形成在所述封裝材料層上，并且與所述第二半導體管芯相連接；以及

多個熱通孔，與所述散熱器模塊的第二表面相連接。

2.根據權利要求1所述的結構，其中，所述散熱器模塊與所述第一半導體管芯的背面相接合。

3.根據權利要求1所述的結構，其中，所述散熱器模塊與所述第一半導體管芯的正面相接合，并且其中，所述散熱器模塊具有多個開口。

4.根據權利要求1所述的結構，進一步包括：

多個銅柱，連接在所述第二半導體管芯和所述再分配層之間。

5.根據權利要求1所述的結構，進一步包括：

第二散熱器模塊，設置在所述散熱器模塊和所述再分配層之間；以及焊球，設置在所述再分配層下面。

6.根據權利要求1所述的結構，進一步包括：

第三半導體管芯，設置在所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯之間；以及

多個凸塊，設置在所述第一半導體管芯和所述第三半導體管芯之間。

7.根據權利要求1所述的結構，進一步包括：

第二再分配層，形成在所述第二半導體管芯和所述封裝材料層之間。

8.一種結構，包括：

第一散熱器模塊，與第一半導體管芯的背面相接合；

所述第一半導體管芯，與中介層相連接；以及

襯底，通過多個焊球與所述中介層相連接，其中，所述第一半導體管芯設置在所述中介層和所述襯底之間。

9.根據權利要求8所述的結構，進一步包括：

多個凸塊，設置在所述第一半導體管芯和所述中介層之間。

10.根據權利要求8所述的結構，進一步包括：

再分配層，形成在所述中介層上；

多個凸塊下金屬化結構，形成在所述再分配層上；以及

多個焊球，設置在所述襯底和所述再分配層之間。