[發明專利]用于制作軟性顯示設備的基板、結構及其制作方法無效
| 申請號: | 201210187207.5 | 申請日: | 2012-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN102956668A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發明(設計)人: | 唐文忠;舒芳安;蔡燿州;辛哲宏 | 申請(專利權)人: | 元太科技工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制作 軟性 顯示 設備 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種用于制作軟性顯示設備的結構,其包括:
基板,其表面設有溝槽結構;
蝕刻層,形成于該表面并覆蓋該溝槽結構;
可撓性材料層,配置于該蝕刻層上,該可撓性材料層與該基板被該蝕刻層隔開;以及
顯示模塊,配置于該可撓性材料層上。
2.如權利要求1所述的用于制作軟性顯示設備的結構,其中該蝕刻層的材質包括硅、鉬、鈦或鎢。
3.如權利要求1所述的用于制作軟性顯示設備的結構,還包括一隔絕層,配置于該可撓性材料層與該顯示模塊之間。
4.如權利要求3所述的用于制作軟性顯示設備的結構,其中該顯示模塊包括:
驅動電路層,配置于該介電層上;
顯示介質層,配置于該驅動電路層上;以及
保護層,配置于該顯示介質層上。
5.如權利要求1所述的用于制作軟性顯示設備的結構,其中該基板為剛性基板。
6.如權利要求1所述的用于制作軟性顯示設備的結構,其中該溝槽結構包括多個第一條狀溝槽以及與該些第一條狀溝槽交叉的多個第二條狀溝槽。
7.如權利要求1所述的用于制作軟性顯示設備的結構,其中,該基板包括底板及形成于該底板上的圖案化材料層,該基板設有該溝槽結構的該表面為該圖案化材料層的表面。
8.一種軟性顯示設備的制作方法,其包括:
于基板之表面形成一溝槽結構;
于該基板的該表面形成蝕刻層,該蝕刻層覆蓋該溝槽結構;
于該蝕刻層上形成可撓性材料層,該可撓性材料層與該基板被該蝕刻層隔開;
于該可撓性材料層上形成顯示模塊;以及
去除該蝕刻層以分離該可撓性材料層與該基板。
9.如權利要求8所述的軟性顯示設備的制作方法,其中該溝槽結構的形成工藝包括對該基板之該表面進行蝕刻工藝。
10.如權利要求8所述的軟性顯示設備的制作方法,其中該基板包括底板及形成于該底板上的材料層,該溝槽結構的形成工藝包括圖案化該材料層,以形成具有該溝槽結構的圖案化材料層。
11.如權利要求8所述的軟性顯示設備的制作方法,其中去除該蝕刻層的工藝包括對該蝕刻層進行一回蝕工藝。
12.如權利要求11所述的軟性顯示設備的制作方法,其中該回蝕工藝包括干式蝕刻工藝或濕式蝕刻工藝。
13.如權利要求11所述的軟性顯示設備的制作方法,該回蝕工藝為干式蝕刻工藝且采用二氟化氙作為蝕刻氣體。
14.如權利要求13所述的軟性顯示設備的制作方法,其中該蝕刻層的材質包括硅、鉬、鈦或鎢。
15.如權利要求8所述的軟性顯示設備的制作方法,其中在去除該蝕刻層之前還包括切割該基板以在該基板的至少一個側面露出該溝槽結構。
16.一種用于制作軟性顯示設備的基板,其中該基板之表面上形成有溝槽結構。
17.如權利要求16所述的用于制作軟性顯示設備的基板,其中該溝槽結構包括多個第一條狀溝槽以及與該些第一條狀溝槽交叉的多個第二條狀溝槽。
18.如權利要求16所述的用于制作軟性顯示設備的基板,其中該基板包括底板及形成于該底板上的圖案化材料層,該基板設有該溝槽結構的該表面為該圖案化材料層的表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于元太科技工業股份有限公司,未經元太科技工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210187207.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:化合物半導體器件及其制造方法
- 下一篇:導體圖案的形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





