[發明專利]一種可調控介質層磁性的阻變存儲器有效
| 申請號： | 201210186988.6 | 申請日： | 2012-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN102738391A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 宋成;潘峰;陳光;彭晶晶 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
| 地址： | 100084 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調控 介質 磁性 存儲器 | ||
【權利要求書】：
1.一種可調控介質層磁性的阻變存儲器，包括底電極、頂電極以及位于所述底電極和頂電極之間的介質層；其特征在于：所述介質層為過渡金屬摻雜的氧化鋅薄膜。
2.根據權利要求1所述的可調控介質層磁性的阻變存儲器，其特征在于：所述過渡金屬選自下述至少一種：Co、Fe和Ni。
3.根據權利要求1或2所述的可調控介質層磁性的阻變存儲器，其特征在于：所述介質層由下述原子百分比的元素組成：過渡金屬為1.0～3.0?at.﹪，Zn為47.0～49.0?at.﹪，其余為O。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的可調控介質層磁性的阻變存儲器，其特征在于：所述介質層的厚度可為20～200nm。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的可調控介質層磁性的阻變存儲器，其特征在于：所述底電極和頂電極均為鉑電極或金電極。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的可調控介質層磁性的阻變存儲器，其特征在于：通過調控所述阻變存儲器的電阻值變化，實現對所述阻變存儲器的磁性調控。
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