[發明專利]基于全解耦LC諧振回路的振蕩器拓撲及解耦方法

有效

• 申請號: 201210186980.X
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103001584A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: B·薩杜;J-O·普魯查特;S·K·雷諾德;A·V·里爾亞科夫;J·A·蒂爾諾
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H03B5/18
• 分類號: H03B5/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種基于諧振回路的振蕩器，包括：

一個或更多個有源器件；

一個或更多個無源器件；以及

使用所述一個或更多個無源器件中的至少一個來與所述有源器件解耦的諧振電路，

其中在所述諧振電路與所述一個或更多個有源器件之間的耦合比被設定以使所述諧振電路的振蕩振幅的最大值僅基于所述一個或更多個無源器件的擊穿來限定。

2.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個有源器件僅受所述振蕩振幅的所述最大值的一部分的影響。

3.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述振蕩振幅的所述最大值基于所述一個或更多個無源器件中的至少一個的擊穿電壓和擊穿電流中的至少一個來確定。

4.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個無源器件包括無源解耦器件。

5.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個有源器件包括一個或更多個MOSFET或者一個或更多個雙極結晶體管。

6.根據權利要求5所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個MOSFET的漏極和柵極被獨立地偏置以控制所述諧振電路的所述振蕩振幅。

7.根據權利要求5所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個雙極結晶體管的集電極和基極被獨立地偏置以控制所述諧振電路的所述振蕩振幅。

8.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個無源器件至少包括第一和第二電容器，所述一個或更多個有源器件是構成第一和第二有源器件的N溝道金屬氧化物場效應晶體管或雙極結晶體管，所述第一和第二有源器件中的每個有源器件都至少具有漏極或集電極和柵極或基極，并且其中所述第一有源器件的所述柵極或基極與所述第一電容器的一側及所述第二有源器件的所述漏極或集電極連接，所述第二有源器件的所述柵極或基極與所述第二電容器的一側及所述第一有源器件的所述漏極或集電極連接，以及所述諧振電路被連接于所述第一電容器的另一側與所述第二電容器的另一側之間以使所述諧振電路與所述第一和第二有源器件解耦。

9.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個無源器件至少包括第一、第二、第三及第四電容器，所述一個或更多個有源器件是構成第一和第二有源器件的N溝道金屬氧化物場效應晶體管或雙極結晶體管，所述第一和第二有源器件中的每個有源器件都至少具有漏極或集電極和柵極或基極，并且其中所述第一有源器件的所述柵極或基極與所述第一電容器的一側及所述第三電容器的一側連接，所述第二有源器件的所述柵極或基極與所述第二電容器的一側及所述第四電容器的一側連接，所述第一電容器的另一側與所述第二有源器件的所述漏極或集電極連接，所述第二電容器的另一側與所述第一有源器件的所述漏極或集電極連接，以及所述諧振電路被連接于所述第三電容器的另一側與所述第四電容器的另一側之間以使所述諧振電路與所述第一和第二有源器件解耦。

10.根據權利要求1所述的基于諧振回路的振蕩器，其中所述一個或更多個無源器件至少包括第一、第二、第三、第四電容器及第五電容器，所述一個或更多個有源器件是構成第一和第二有源器件的N溝道金屬氧化物場效應晶體管或雙極結晶體管，所述第一和第二有源器件中的每個有源器件都至少具有漏極或集電極和柵極或基極，并且其中所述第一有源器件的所述柵極或基極與所述第一電容器的一側及所述第五電容器的一側連接，所述第二有源器件的所述柵極或基極與所述第二電容器的一側及所述第五電容器的另一側連接，所述第一電容器的另一側與所述第二有源器件的所述漏極或集電極及所述第四電容器的一側連接，所述第二電容器的另一側與所述第一有源器件的所述漏極或集電極及所述第三電容器的一側連接，以及所述諧振電路被連接于所述第三電容器的另一側與所述第四電容器的另一側之間以使所述諧振電路與所述第一及第二有源器件解耦。